Indexliste

A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S, T, U, V, W, X, Y, Z,

1. Ficksches Gesetz	[1],
1. Hauptsatz der Materialwissenschaft	[1],
1. Hauptsatz der MaWi	[1],
2. Ficksches Gesetz	[1], [2],
2. Haupsatzes der Thermodynamik	[1],
A,
Absorptionskoeffizient	[1],
Absorptionslänge	[1],
Abstände; zwischen Gitterebenen	[1],
Akzeptoren	[1],
Alkalimetalle	[1],
Amorphous metals	[1],
Analogverstärkung	[1],
Anisotrope Eigenschaften	[1],
Antiferromagnete.	[1],
Arbeitspunkt maximaler Leistung	[1],
Arbeitspunkt, einer Solarzelle	[1],
Arrhenius Plot	[1],
Arrhenius-Diagramm	[1],
Asymmetrische Diode	[1],
Atomare Defekte	[1], [2], [3],
Atome	[1],
Atompolarisation	[1],
Aufenthaltswahrscheinlichkeit	[1], [2],
Aufweichungszone; der Fermiverteilung	[1],
Ausheilen; von Implantationsdefekten	[1],
Avogadrokonstante	[1],
B,
Bad Bank; und Solarik	[1],
Bahnmomente; magnetische	[1],
Bahnwiderstände	[1],
Band-Band-Übergänge	[1], [2],
Banddiagramm	[1],
Banddiagramme; und Klassifikation Materialien	[1],
Bandgap	[1], [2],
Bandkanten	[1],
Bandlücke	[1],
Bandlücke; 1. Definition	[1],
Bandstruktur	[1],
Bandstruktur; reduzierte Darstellung	[1],
Bandverbiegung	[1], [2], [3],
Bandverbiegung; und elektrische Felder	[1], [2],
Bariumtitanat, und Kondensatoren	[1],
Basis; des Kristalls	[1],
Basisebene; hex. Gitter	[1],
Basisvektoren	[1],
Beleuchteter pn-Übergang	[1],
Besetzung; von Zuständen	[1],
Betrag von G	[1],
Beugung an periodischen Strukturen	[1],
Beweglichkeit; Definition	[1],
Beweglichkeit; und Dotierung	[1],
Beweglichkeit; und Stöße	[1],
Beweglichkeit; von Ladungsträgern	[1],
Bildungsenergie	[1],
Bildungsenthalpie des Eigenzwischengitteratoms	[1],
Bindungen und E-Modul	[1],
Bindungsarme	[1],
Bindungsenergie	[1], [2], [3],
Bindungspotential	[1],
Bindungspotential; allgemeine Form	[1],
Binomialkoeffizient; und Leerstellen	[1],
Bipolar Transistor	[1],
Blindleistung; Im Dielektrikum	[1],
Blochwand	[1],
Body centered cubic	[1],
Bohrsches Magneton	[1],
Boltzmann Faktor	[1],
Boltzmann Verteilung; Definition	[1],
Boltzmann-Näherung	[1], [2],
Boltzmann-Verteilung	[1],
Boltzmannfaktor	[1],
Boltzmannkonstante	[1],
Boltzmannnäherung; der Fermiverteilung	[1], [2],
Books:	[1],
Books: Ashby and Jones; Engineering Materials 1 und 2	[1],
Books: Askeland	[1],
Books: Barrett	[1],
Books: Gerthsen	[1],
Books: Haken und Wolf: Atom- und Quantenphysik	[1],
Books: Hornbogen	[1],
Books: Ilschner	[1],
Books: Materials in Action Series	[1],
Books: Schatt	[1],
Bose-Einstein Verteilungsfunktion	[1],
Bosonen	[1],
Bosonen; und Verteilungsfunktion	[1],
Brattain	[1],
Bravais-Gitter	[1],
Brechungsindex	[1],
Brechungsindex; komplex	[1],
Breite der Raumladungszone	[1],
Brillouin-Zone	[1],
Bruch; perfekter Kristall	[1],
C,
Calciumfluoridstruktur	[1],
Chalkogene	[1],
Chemiker	[1],
Chips; as components	[1],
Chips; und Dotierung	[1],
CMOS Technik	[1],
Complementary MOS	[1],
Components; and semiconductor technology	[1],
Coulombkraft	[1],
Curie-Temperatur	[1],
Curietemperatur	[1],
D,
de Broglie Beziehung	[1], [2],
Debye	[1],
Debye-Länge	[1],
Defect Engineering	[1],
Defekte im Kristall	[1],
Defekte; und Bruch	[1],
Defektelektronen	[1],
Definition der Fermienergie	[1],
Dehnung	[1],
Detektoren; optisch	[1],
Determinismus	[1],
Deutsche Milliarde	[1],
Diamagnete	[1],
Diamagnetische Materialen+	[1],
Diamant	[1],
Diamantstruktur	[1], [2],
Dichte Kugelpackung	[1],
Dichten und 2. Ficksches Gesetz	[1],
Dichteprofil	[1],
Dichteste Kugelpackung	[1], [2], [3], [4],
Dichteunterschiede und Diffusion	[1],
Dielektrikum; für Gate	[1],
Dielektrische Funktion	[1], [2], [3], [4],
Dielektrische Verluste	[1], [2],
Dielektrizitätskonstante für Halbleiter	[1], [2],
Diffundieren gleich statistisch herumhüpfen	[1],
Diffusion	[1],
Diffusionsgleichungen	[1],
Diffusionskoeffizient; von Elektronen und Löchern	[1], [2], [3], [4],
Diffusionslänge	[1], [2],
Diffusionsstrom	[1],
Diffusionsstrom; elektrisch	[1],
Digital; Transistor	[1],
Dimensionalität, von Kristalldefekten	[1],
Diode	[1], [2],
Diode, asymmetrisch	[1],
Diode; p-n-Kontakt als	[1],
Diodengleichung	[1],
Diodengleichung bei Beleuchtung	[1],
Dipol-Dipol Wechselwirkung	[1],
Dipol; elektrischer	[1],
Dipole; und Dielektrika	[1],
Dipolmoment	[1],
Direkte Halbleiter	[1], [2], [3], [4],
Domänen, Pinning	[1],
Domänen; magnetische	[1],
Domänenwände	[1],
Domänwandenergie	[1],
Donatoren	[1],
Doppelschlitzexperiment	[1],
Dotieren	[1],
Dotierung; im Raumbild	[1],
Drain; eines MOS Transistors	[1],
Dreckeffekte	[1],
Dreidimensional; Kraft und Potential	[1],
Dreidimensionale Defekte	[1], [2], [3],
Dreikörperproblem	[1],
Driftgeschwindigkeit; von Ladungsträgern	[1], [2], [3],
Driftstrom	[1],
Duktilität	[1],
Durchschlag; elektrischer	[1],
Durchschlagsfestigkeit	[1],
Dynamisches Gleichgewicht; in Halbleitern	[1], [2],
Dämpfung; im Oszillator	[1],
Dämpfungskoeffizienten	[1],
E,
E-Modul	[1],
Ebenen in einem Kristall	[1],
Ebenen; Hyperskript	[1],
Effektive Zustandsdichte	[1], [2], [3], [4],
Effektiven Zustandsdichten; Zahlen	[1], [2],
Eigenleitung	[1],
Eigenzwischengitteratom	[1],
Eindimensionale Defekte	[1], [2], [3],
Einheitszelle	[1],
Einkristall	[1],
Einstein-Smoluchowski Beziehung	[1], [2],
Elastische Streuung	[1],
Elastische Verformung	[1],
Elastizitätsmodul	[1],
Elastizitätsmodul; und DK	[1],
Elektrete	[1],
Elektrische Eigenschaften; Ionenkristalle	[1],
elektrische Feld; und Verschiebungsdichte	[1],
Elektrische Felder; und Bandverbiegungen	[1], [2],
Elektrische Feldkonstante	[1],
elektrische Stromdichte, Teilchenströme und	[1],
Elektrischen Durchschlag	[1],
Elektrischer Strom und Teilchenstrom	[1],
Elektrisches Feld; und Bandverbiegung	[1],
Elektrisches Potential	[1],
Elektrolytischer Durchschlag	[1],
Elektromagnetische Wellen	[1],
Elektronen	[1],
Elektronen; magnetisches Moment	[1],
Elektronen; und Gleichverteilungssatz	[1],
Elektronenaffinität	[1],
Elektronengas	[1], [2], [3],
Elektronenvolt	[1],
Elektroneutralität	[1],
Elektronische Polarisation	[1],
Elementare magnetische Einheit	[1],
Elementarladung	[1],
Elementarzelle	[1],
Empirie; und Materialwissenschaft	[1],
Energie einer Welle	[1],
Energie-Impuls-Beziehung	[1],
Energie; und Temperatur	[1],
Energieaufspaltung	[1],
Energieband	[1],
Energiebänder	[1],
Energieerhaltungssatz	[1],
Energiegewinn; treibende Kraft	[1],
Energiegewinnung; und Halbleiter	[1],
Energiekrise	[1],
Energielücke	[1], [2],
Energieniveau; einer Schwingung	[1], [2],
Energieniveau; für ein Elektron	[1],
Ensemble; thermodynamisches	[1],
Entartung: von Zustaenden	[1],
Enthalpie	[1],
Entropie	[1], [2],
Entropie; als treibende Kraft für Verschmutzung	[1],
Entropie; Etymologie	[1],
Entropie; und Unordnung	[1],
Entropieformel	[1],
Erdalkalimetalle	[1],
Errorfunction	[1], [2],
Ersatzschaltbild	[1],
Erster Hauptsatz der Thermodynamik	[1],
Extrinsische AF	[1],
Extrinsische Defekte	[1],
F,
Face centered cubic	[1], [2], [3], [4],
Feder und Bindungspotential	[1],
Federkonstante; ionische Polarisation	[1],
Feldlinien; in der Raumladungszone	[1],
Feldstrom	[1], [2], [3], [4],
Feldstärke; aus Poisson Gleichung	[1],
Feldstärke; im Chip	[1],
Feldstärke; kritische	[1],
Feldstärke; und Spannung	[1],
Femtosekundenspektroskopie	[1],
Fermi Verteilung	[1],
Fermi-Dirac Verteilung	[1],
Fermi-Verteilung; und Energieband	[1],
Fermienergie	[1], [2],
Fermionen	[1],
Fermionen; und Verteilungsfunktion	[1],
Ferrimagnete	[1],
Ferroelektrische Materialien	[1], [2],
Ferroelektrizität	[1],
Ferromagnete	[1],
Ferromagnete; elektr. Eigenschaften und Versetzungen	[1],
Ferromagnetische Materialien	[1],
Ferromagnetismus	[1],
Feste Randbedingungen	[1],
Festkörper	[1],
Festkörperphysik	[1],
Finanzkrise	[1],
First principles	[1],
Flache Bildschirme	[1],
Float zone	[1],
Float zone grown crystals (Si)	[1],
Flächendefekte	[1], [2], [3],
Flächenladung; und Polarisation	[1],
Flüssigkeiten	[1],
Flüssigkeiten; und Orientierungspolarisation	[1],
Flüssigkristalle	[1],
Fourier Reihenentwicklung	[1],
Fourierintegral	[1],
Freie Elektronen	[1], [2],
Freie Elektronen; in Metallen	[1],
Freie Energie	[1],
Freie Enthalpie	[1],
Freien Valenzen	[1],
freies Elektronengas	[1], [2],
Freiheitsgrade; bei Def. Temperatur	[1],
Frequenz; der Gitterschwingungen	[1],
Frequenzabhängigkeit; magn. Suszeptibilität	[1],
Frequenzspektrum	[1],
Frequnzabhängigkeit der Dielekrizitätskonstanten	[1],
Fresnel Gleichungen	[1],
Füllfaktor	[1],
G,
Gase	[1],
Gate; eines MOS Transistors	[1],
Gauss; alte magn. Einheit	[1],
Gaussche Fehlerfunktion	[1], [2],
Gedankenversuch; Vorteile des	[1],
Geld; und Materialwissenschaft	[1],
Generation; eines Elektron-Lochpaares	[1],
Generation; Start random walk	[1],
Generationsrate	[1],
Generationsstrom	[1],
Gesamtenergie	[1],
Gesamtenergie; bei Schwingung	[1],
Geschweifte Klammern; bei Miller Indizierung	[1],
Girokonto; für Bilanzmodelle	[1],
Gitter; von Kristallen	[1],
Gitterkonstante	[1], [2],
Gitterkonstante; kub. Gitter	[1],
Glasfaser	[1],
Gleichgewicht	[1],
Gleichgewicht; dynamisches	[1],
Gleichgewicht; Ladungsträger	[1],
Gleichgewicht; über Besetzung Niveaus	[1],
Gleichgewichtsabstand Atome	[1],
Gleichgewichtskonzentration von AF	[1],
Gleichverteilung; der Energie	[1],
Gleichverteilungssatz	[1],
Good Bank - Bad Bank	[1],
Graphit	[1],
Grenzfläche; statt Oberfläche	[1],
Grenzflächenpolarisation	[1],
Grenzfrequenz; und Zeitkonstante	[1],
Grenzfrequenzen; und Dielektrilum	[1],
Grundniveau	[1],
Grundzustand	[1],
Gummi; und E-Modul	[1],
H,
Halbleiter	[1], [2],
Halbleiter; Diamantstruktur	[1],
Halbleiter; DK von	[1],
Halbleiter; elektr. Eigenschaften und Versetzungen	[1],
Halbleiter; und DK	[1],
Halbleiter; und kovalente Bindung	[1],
Halbleiterbauelemente	[1],
Halbleiterkontakte	[1],
Halbleitern; Klassifikation	[1],
Halbleitertechnologie; und Dotieren	[1],
Halbmetalle	[1],
Halogene	[1],
Halogenide	[1],
Hartmagnet	[1],
Hauptgruppe IV	[1],
Hauptgruppen	[1],
Hauptquantenzahl	[1],
Heisenbergprinzip	[1],
Hervorhebungen; im Hyperskript	[1],
Heteroübergänge	[1], [2],
Hexagonal close packed	[1], [2],
Hexagonales Gitter	[1], [2], [3],
High-Resolution Transmission Electron Microscopy	[1],
Hochauflösungstransmissionselektronenmikroskope	[1],
Hochenergieschwanz; der Fermiverteilung	[1],
Hybridorbitale	[1],
Hystereseeffekte	[1],
Hysteresekurve; bei Ferromagneten	[1],
Hystereseverluste	[1],
Hysteresverluste	[1],
Härte	[1],
Härte; und Fließgrenze	[1],
I,
Impuls einer Welle	[1],
Indirekte Halbleiter	[1], [2], [3], [4],
Inelastische Streuung	[1],
Inhaltsmatrix; Hyperskript	[1],
Injektion; von Minoritäten über einen p-n-Übergang	[1],
Injektionsverhältnis	[1],
Innere Energie	[1],
Integrated circuit	[1], [2], [3], [4],
Integrierte Schaltung; und Dotierung	[1], [2],
Interferenz von Teilchen	[1],
Interstitielles Fremdatom	[1],
Intrinsische AF	[1],
Intrinsische Defekte	[1],
Intrinsische Halbleiter	[1],
Intrinsische Ladungstraegerdichte	[1], [2],
Inversion	[1], [2],
Ionen	[1],
Ionenbindung	[1], [2],
Ionenimplantation	[1],
Ionenkristall; Beispiel	[1],
Ionenradien	[1],
Ionenrümpfe	[1],
Ionische Polarisation	[1],
Ionisieren; von Atomen	[1],
Ionisierungsenergie	[1],
Irreversible Prozesse	[1],
Isolator; und Dielektrikum	[1],
Isolatoren	[1],
Isolatoren; elektr. Eigenschaften und Versetzungen	[1],
Isolatoren; Klassifikation	[1],
Isolatoren; und Dielektrika	[1],
Isotrope Eigenschaften	[1],
J,
Junction voltage	[1],
K,
Kanal; eines MOS Transistors	[1],
Klassifikation elekt. Leitung	[1],
Klassische Teilchen	[1],
Klemmenspannung	[1],
Koerzitivkraft	[1],
Kombinatorik	[1],
Komplementäre Größen	[1],
Komplexer Brechungsindex	[1],
Kondensator; parasitärer	[1],
Kondensatoren; und Dielektrikum	[1],
Kontakt; ideal	[1],
Kontaktpotential	[1],
Kontaktspannung	[1], [2],
Kontaktspannung; aus Poisson Gleichung	[1],
Kontinuitätsgleichung	[1],
Konzentration	[1],
Konzentration; von AF	[1],
Konzentrationsgradient und Strom	[1],
Konzentrationsprofil	[1],
Koordinationszahl	[1],
Korund	[1],
Kostantstromgenerator; Solarzelle als	[1],
Kovalente Bindung	[1],
Kovalente Bindungen	[1],
Kraft, aus Potential	[1],
Kramers Kronig Beziehung	[1],
Kristalldefekte	[1], [2],
Kristallgitterdefekten	[1],
Kristallimpulserhaltungssatz	[1],
Kristallographie; Grundlagen	[1],
Kritische Feldstärke	[1],
Kubisch-flächenzentriert	[1],
Kubisch-primitiv	[1],
Kubisch-raumzentriert	[1],
Kubisches Gitter	[1], [2],
Kugelflaechenfunktionen	[1],
Kugelwellen	[1],
Kupfer-Indium-di-Selenid	[1],
Körner; im Kristall	[1],
L,
Ladungsdichte	[1],
Ladungspumpe; Spannungsquelle als	[1], [2],
Ladungsschwerpunkte	[1],
Lambda-Sonde	[1],
Langevin Funktion; und Orientierungspolarisation	[1],
Laplace-Operator	[1],
Laser	[1], [2],
Laufende ebene Welle	[1], [2],
Lawinendurchbruch	[1],
Leben	[1],
Lebensdauer	[1],
Lebensdauer; als Kurzform für Minoritätsladungsträgerlebensdauer	[1],
Lebensdauer; von Minoritäten	[1],
Leerlaufspannung	[1],
Leerstelle	[1],
Leerstellenkonz. im TD Gleichgewicht	[1],
Leerstellenmechanismus der Diffusion	[1],
Legierung	[1],
Leichte Richtung; Magnetisierung	[1], [2],
Leistungsdichte	[1],
Leistungshalbleiter	[1],
Leistungsverstärkung; mit einem Transistor	[1],
Leiter	[1], [2],
Leiterbahnen; auf IC	[1],
Leitereigenschaften	[1],
Leitern; Klassifikation	[1],
Leitfähigkeit von Halbleitern	[1],
Leitfähigkeit; Grundgleichung	[1],
Leitungsband	[1],
Leitungstyp; bei Halbleitern	[1],
Lesekopf	[1],
Lichtabsorption	[1],
Lichtbrechung	[1],
Lichterzeugung durch Rekombination	[1],
Lichtleitfasern	[1],
Lichtpolarisation	[1],
Lichtreflektion	[1],
Life time killer	[1],
Light emitting diodes	[1],
Liniendefekte	[1], [2], [3],
Liquid crystal display	[1],
Listen; Hyperskript	[1],
Loch; im Raumbild	[1],
Loch; im Valenzband	[1],
Lokale Entladungen	[1],
Löcher; Definition	[1], [2],
Löcher; im Valenzband	[1], [2],
Löslichkeit von Fremdatomen	[1],
M,
Madelungkonstante	[1],
Magentische (relative) Permeabilität eines Materials	[1],
Magic; and semiconductor technology	[1],
Magnetfeld	[1],
Magnetic polarization	[1],
Magnetische Dipole	[1],
Magnetische Dipole; und Spin	[1],
Magnetische Domänen	[1], [2],
Magnetische Feld; Herkunft	[1],
Magnetische Feldstärke	[1],
Magnetische Flußdichte	[1],
Magnetische Induktion	[1],
Magnetische Monopole	[1],
Magnetische Permeabilität des Vakuums	[1],
magnetische Quantenzahl	[1],
Magnetische Speicher	[1],
Magnetische Suszeptibilität	[1],
Magnetischen Verlusten	[1],
Magnetisches Dipolmoment	[1],
Magnetisches Moment	[1],
Magnetisches Moment der Elektronen	[1],
Magnetisierung	[1],
Magnetisierung, und elastische Energie	[1],
Magnetostriktion	[1],
Majoritäten; als Kurzform	[1],
Majoritätsladungsträger	[1],
Makrozustand	[1],
Massenwirkungsgesetz	[1], [2],
Materialparameter Fermienergie	[1],
Materiewellen	[1],
Maximum der Dispersionkurve	[1],
Maßeinheiten	[1],
Mechanische Dehnung und Piezoelektrizität	[1],
Mechanische Spannung	[1], [2],
Mehrlagenmetallisierung	[1],
Metal-oxid-semiconductor (Technik)	[1],
Metallbindung	[1],
Metalle	[1],
Metalle; elektr. Eigenschaften und Versetzungen	[1],
Metallic glasses	[1],
Mikrosysteme	[1],
Mikrowelle	[1],
Mikrowelle; Ofen	[1],
Mikrowellenofen	[1], [2],
Mikrozustand	[1],
Miller index of directions	[1],
Miller Indizes für Richtungen	[1],
Miller-Indizes,	[1],
Minimum der Dispersionskurve	[1],
Minoritäten; als Kurzform	[1],
Minoritätsladungsträgerlebensdauer: 1. Erwähnung	[1], [2], [3],
Mittlere freie Weglänge	[1],
Momentaufnahme einer Welle	[1],
Momentaufnahme; bei Wasserdipolen	[1],
Money; and semiconductor technology	[1],
Moore's law	[1],
MOS Kontakt	[1],
MOS Transistor	[1],
Mu-metal	[1],
N,
n-dotierte Halbleiter	[1],
n-Kanal MOS	[1],
n-leitende Halbleiter	[1],
Nabla-Operator	[1],
Nebengruppen	[1],
Nebenquantenzahl	[1],
Normierungsbedingung	[1],
Nulldimensionale Defekte	[1], [2], [3],
Nullpunkt; Energie	[1],
Nächste Nachbarn; in Kristall	[1],
Néelwand	[1],
O,
Oberflächenzustände	[1],
Oersted; alte magn. Einheit	[1],
Ohmscher Kontakt	[1],
Ohmsches Gesetz	[1], [2],
Ohmsches Gesetz; Gültigkeit	[1],
Okarina; stehende Wellen in	[1],
Opal	[1], [2],
open circuit voltage	[1],
Optik	[1],
Optik; und Dielektrika	[1],
Optik; und Magnetismus	[1],
Optische Eigenschaften; Ionenkristalle	[1],
Optische Gläser	[1],
Optoelektronik	[1], [2], [3], [4],
Orbital; Definition	[1],
Orbitale	[1],
Ordnung	[1],
Ordnung; qualitative Definition	[1],
Ordnungszahl	[1],
Orgelpfeife	[1],
Orientierungspolarisation; Berechnung	[1], [2],
Ortsfeste Dotieratome	[1],
Ortsfestigkeit; Dotieratome	[1],
Ortsraumdarstellung einer Bandverbiegung	[1],
P,
p-dotierte Halbleiter	[1],
p-Kanal MOS	[1],
p-leitende Halbleiter	[1],
p-n-Übergang	[1], [2],
p-n-Übergang; Herstellung	[1],
Packungsdichte	[1], [2],
Paramagentism	[1],
Paramagnete	[1],
Paramagnetische Materialien	[1],
Paramagnetismus	[1],
Parasitären Kapazitäten	[1],
Partialströmen	[1],
parts per billion	[1],
parts per million	[1],
Pauli Prinzip	[1],
Pauli Prinzip; und freie Elektonen	[1],
Pauli-Prinzip	[1],
Paulis Prinzip; und Elektronengeschwindigkeit	[1],
Peltier Elemente	[1],
Perfekter Kristall; und Bruch	[1],
Periodische Randbedingung	[1],
Permanentmagnet	[1],
Permittivität	[1],
Permittivität des Vakuums	[1],
Perowskite	[1],
Perpetuum Mobile	[1], [2], [3], [4],
Phasen	[1],
Phasenfaktor	[1], [2],
Phasenänderungen	[1],
Philosophie; und Quantentheorie	[1],
Phononen	[1],
Photonen	[1],
Photowiderstand	[1],
Piezoelektrische Materialien	[1],
Piezoelektrizität	[1],
Plancksches Wirkungsqantum	[1],
Planetenmodell; des Atoms	[1],
Plasma	[1],
Plastische Verformung	[1],
Plattenkondensator	[1],
Plattenkondensator; als Modell der Raumladungszone	[1],
Plätze; für Elektronen	[1],
Plätze; und Zustandsdichte	[1],
pn Übergang	[1],
pn-Kontakt	[1],
Poisson Gleichung	[1], [2], [3],
Poisson Gleichung; und RLZ-Weite	[1],
Poisson-Gleichung	[1],
Polarisation	[1],
Polarisation; optische	[1],
Polarisationsmechanismen	[1],
Polykristall	[1],
Potential	[1],
Potential eines Elektrons	[1],
Potential; aus Poisson Gleichung	[1],
Potentialtopf	[1], [2],
Potentielle Energie	[1],
Products; and semiconductor technology	[1],
Prozeßschritte	[1],
Punktdefekte	[1], [2], [3],
Punktfehler	[1], [2], [3],
Pyroelektrizität	[1],
Q,
Quanten	[1],
Quantentheorie	[1], [2], [3],
Quantentheorie: als Grundlage der Halbleiterbauelemente	[1],
Quantenzahlen	[1],
Quasiteilchen	[1],
Quellen; des Feldes	[1],
R,
Radfahrermodell; pn-Übergang	[1], [2],
Random walk	[1], [2],
Random walk; Elektron	[1],
Raumgitter	[1],
Raumladungszone	[1],
Raumladungszone; als Kondensator	[1],
Raumladungszone; Breite	[1],
Realer Kontakt	[1],
Reflexionskoeffizient	[1],
Rekombination; bei Halbleitern	[1],
Rekombination; eines Elektron-Loch Paares	[1],
Rekombinationsrate	[1],
Rekombinationsstrom	[1],
Relative Dielektrizitätskonstante	[1],
Relative magnetic permeability of materials	[1],
Relaxation	[1],
Remanenz	[1], [2],
Resonanz; und Dielektrika	[1],
Resonanzfrequenz	[1],
Rezept; für Bandstruktur von Kontakten	[1],
Reziproke Gittervektoren	[1],
Reziprokes Gitter	[1],
Richtung der Zeitachse; und 2. Hauptsatz	[1],
Runde Klammern; bei Miller Indizierung	[1],
Röntgenstrukturanalyse	[1],
Rückwärtsstrom	[1],
Rückwärtsstrom; einer Diode	[1],
S,
Schalen; der Elektronen	[1],
Schmelzpunkt; aus Bindungspotential	[1],
Schmelzpunkt; aus Vergleich der freien Enthalpie	[1],
Schmelzpunkt; und Bindungen	[1],
Schottky Kontakt	[1],
Schreibkopf	[1],
Schrödingergleichung; erste Definition	[1], [2],
Schwellenspannung; des MOS Transistors	[1],
Sekundären Bindungen	[1],
Selbstdiffusion	[1],
Self-interstitial	[1],
Semiconductors; and components or products	[1],
Serienwiderstand; in Solarzellen	[1],
Shockley	[1],
Short circuit current	[1],
Shunt Widerstand	[1],
Silizium-Kristall	[1],
Silizium; und Diamantstruktur	[1],
Solar cells; as market drivers	[1],
Solares Spektrum	[1],
Source; eines MOS Transistors	[1],
sp3 Hybridorbitale	[1],
Space Charge Region	[1],
Spannung; und elektrostatisches Potential	[1],
Spannung; und Feldstärke	[1],
Spannungs-Dehnungs-Diagramm	[1],
Spez. Widerstand	[1],
Spezifische Leitfähigkeit; von dotierten Halbleitern	[1], [2], [3],
Spezifischer Widerstand	[1], [2],
Sphalerit	[1],
Spin	[1], [2],
Spin der Photonen	[1],
Spin; und magnetisches Moment	[1],
Spinelle	[1],
Spinquantenzahl	[1],
Sprungrate	[1],
Statistische Thermodynamik	[1], [2],
Stehende Welle; Orgelpfeife	[1],
Stehende Wellen	[1], [2],
Stirlingsche Formel	[1], [2],
Streuung	[1],
Streuzentrum	[1],
Strom; und Stromdichte	[1],
Stromdichte; und Strom	[1],
Stromfluß; und Ungleichgewicht	[1], [2],
Stromverstärkung; eines bipolar Transistors	[1],
Strukturanalyse; von Kristallen	[1],
Stränge; Hyperskript	[1],
Substitutionelles Fremdatom	[1],
Supraleiter; ideale Diamagnete	[1],
Suszeptibilität; dielektrische	[1], [2], [3], [4],
Symmetrie	[1],
System; thermodynamisches	[1],
T,
Tangens Delta	[1],
Tantal Kondensatoren	[1],
Teilchennettostrom	[1],
Teilchensortierungsbauchweh	[1],
Temperatur; Definition	[1],
Temperatur; erste Definition	[1],
Temperatur; und Elektrotechnikprodukte	[1],
Temperatur=Mass für die innere Energie	[1],
Tesla; Einheiot der magn. Induktion	[1],
Tetraederrichtungen	[1],
Texture; for magnetic properties	[1],
Thermische Ausdehnung	[1],
Thermische Energie	[1], [2],
Thermische Energie bei Raumtemperatur	[1],
Thermische Energie; im Kristall	[1],
Thermischer Ausdehnungskoeffizient	[1], [2],
Thermischer Durchschlag	[1],
Thermodynamik	[1], [2],
Thermodynamik; als Grundlage der Halbleiterbauelemente	[1],
thermodynamische Gleichgewicht; 1. Definition	[1],
Thermoelemente	[1],
Threshold voltage; des MOS Transistors	[1],
Thyristor	[1],
Tiefe Störstellen	[1], [2],
Transformatorkern	[1],
Transistor	[1],
Transistor radio	[1],
Transistor, bipolar	[1],
Transistor; Prinzip	[1],
Transitzeit; durch die Transistorbasis	[1],
Translationsvektoren	[1],
Treibende Kraft	[1],
Triode	[1],
Tunneleffekt	[1], [2], [3],
U,
Ungleichgewicht; bei Stromfluß	[1], [2],
Unordnung; Notwendigkeit von	[1],
Unordnung; und Entropie	[1], [2],
Unschärferelation	[1],
Unsymmetrischer p-n-Übergang	[1],
Ursache der Dielektrizitaetskonstanten	[1],
V,
Vacancy	[1],
Valenzband	[1],
Valenzband; im Raumbild	[1],
van der Waals Bindung	[1],
Vektoren; Schreibweise	[1],
Verschiebungsdichte	[1],
Versetzungen	[1], [2], [3],
Versetzungen; und elektrische Eigenschaften	[1],
Versetzungsdichte	[1],
Verteilungsfunktion	[1],
Vibrationen	[1],
Vibrationsfrequenz; Gitterschwingungen	[1],
Volumendefekte	[1], [2], [3],
Vorwärtsstrom; einer Diode	[1], [2],
W,
Wafer; Si	[1],
Wahrheit	[1],
Wahrscheinlichkeitsdichte	[1],
Wahrscheinlichlichkeit für Ordnung	[1],
Wasserstoffbrücke	[1],
Wasserstoffbrückenbindung	[1],
Weichmagnete	[1],
Wellen	[1],
Wellenfunktion; erste Erwähnung	[1],
Wellenpaket	[1],
Wellenvektor	[1], [2], [3], [4], [5],
Widerstand; einer Leiterbahn	[1],
Wirbelströme	[1],
Wirkleistung; Im Dielektrikum	[1],
Wirkungsgrad; Solarzelle	[1],
Wurtzit	[1],
Wärme; und Energie	[1],
Wärmetod des Universums	[1],
X,Y,
Youngs Modulus; Elastizitätsmodul	[1],
Yttrium - Barium - Kupfer - Oxid	[1],
Z,
Zeigerdiagramm; und DK	[1],
Zeit; in Zuständen	[1],
Zeit; Richtung der	[1],
Zeit; und Quantentheorie	[1],
Zeitkonstante RC	[1],
Zinkblende-Strukutr	[1],
Zoologie	[1],
Zufallsbewegung	[1],
Zugversuch	[1], [2],
Zustand; erste Erwähnung	[1],
Zustandsdichte	[1],
Zustandsgröße	[1],
Zweidimensionale Defekte	[1], [2], [3],
Ökologie; und MaWi	[1], [2],
Ökonomie; und MaWi	[1],
Übergänge; im Sinne von Halbleiterkontakt	[1],