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Erstmal definieren wir das Problem etwas schärfer und allgemeiner: |
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Wir betrachten n(x, t), d. h. wir werden das 2. Ficksche
Gesetz benötigen: |
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¶n
¶t | = D · |
æ ç è |
¶ 2n
¶x2 | + |
¶2 n
¶y2 | + |
¶2 n
¶z2 |
ö ÷ ø |
= D · Dn |
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In n¥ und n0
"verstecken" sich die Randbedingungen. Offenbar (nachdenken!) ist ihre Bedeutung wie folgt: |
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- n0 = n(x, t = 0); d.h. es beschreibt die örtlich konstante As-Grundkonzentration
im Si zu Beginn der Diffuison (muss ja nicht unbedingt = 0 sein).
- n ¥ = n(x = , t); d.h. es beschreibt die As-Konzentration auf der
Oberfläche zu allen Zeiten. Da es konstant ist, haben wir eine unerschöpfliche Quelle.
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Damit ist alles klar, die Lösung erhalten wir wie folgt: |
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© H. Föll (MaWi für ET&IT - Script)