Indexliste

A, B, C, D, E, F, G, H, I, J, K, L, M, N, O, P, Q, R, S, T, U, V, W, X, Y, Z,

1. Hauptsatz der Thermodynamik	[1],
A,
Absolute temperature	[1],
Absorption; von Wellen	[1],
Absorptionskoeffizient; für Licht in Halbleitern	[1], [2],
Abstand Energieniveaus; freies Elektronengas	[1],
Accumulation	[1],
Akkumulation	[1],
Akzeptor	[1],
Akzeptorniveau	[1],
Allgemeine Gaskonstante	[1],
Amphotere Dotierung	[1],
Amplitude; einer Welle	[1],
Analogverstärkung	[1],
Anreicherung	[1],
Arbeitspunkt; einer Solarzelle	[1],
Arrheniusbeziehung	[1],
Asymmetrische Diode	[1],
Atomformfaktor	[1],
Atomstrahlen; zur Strukturanalyse	[1],
Aufenthaltswahrscheinlichkeit; auf Brillouinzone	[1],
Auflösung; bei Mikroskopie	[1],
Aufpunkt	[1],
Aufweichungszone; der Fermiverteilung	[1],
Ausbreitungsgeschwindigkeit; einer Welle	[1],
Ausgeschmierte Elektronen	[1],
Ausheilen; von Implantationsdefekten	[1],
Auslöschungsregel	[1],
Auslöschungsregel für fcc	[1], [2],
Austrittsarbeit	[1],
B,
Bahnwiderstände	[1],
Band-Band Übergänge	[1], [2],
Band-Band-Übergänge	[1],
Banddiagramm	[1], [2],
Bandgap	[1],
Bandlücke	[1],
Bandstruktur; reduzierte Darstellung	[1],
Bandverbiegung	[1], [2],
Bandverbiegung; und elektrische Felder	[1],
Basis; eines Kristalls	[1],
Basisvektoren; des Kristallgitters	[1],
BCS-Theorie	[1],
Bell Labs	[1],
Besetzungswahrscheinlichkeit	[1],
Beugung; Ewald Konstruktion	[1],
Beugungsbild; im TEM	[1],
Beugungsstruktur; Verfahren dazu	[1],
Beweglichkeit	[1], [2], [3], [4],
Beweglichkeit und Diffusionskoeffizient	[1],
Beweglichkeit, und Diffusionskoeffizient	[1],
Beweglichkeit; Definition	[1],
Beweglichkeit; der Ladungsträger	[1], [2],
Beweglichkeit; und Stöße	[1],
Bier, und der Zerfall angeregter Zustände	[1],
Bildgebende Verfahren der Strukturanalyse	[1],
Bindungsenergie	[1],
Bipolar Transistor	[1],
Bloch Theorem	[1], [2],
Bloch-Theorem	[1],
Blochwellen	[1],
Boltzmannfaktor	[1],
Boltzmannfaktor und -verteilung	[1],
Boltzmannkonstante	[1],
Boltzmannnäherung; der Fermiverteilung	[1], [2],
Boltzmannverteilung und -faktor	[1],
Bolzmannverteilung	[1],
Bonding; Si Wafer	[1],
Bose-Einstein Verteilungsfunktion	[1],
Bragg-Bedingung; vektorielle Form	[1],
Bragg-Beziehung	[1],
Bragg-Gesetz	[1],
Bragg-Reflexe	[1],
Bragg-Winkel	[1],
Brattain	[1], [2],
Bravais Gitter	[1],
Brechungsindex	[1],
Breite der Raumladungszone	[1],
Brillouin Konstruktion der Beugung	[1],
Brillouin Zone	[1],
C,
Chemische Potential; von Elektronen in einem Kontakt	[1],
Chemisches Potential	[1],
Chip; = integrierte Schaltung	[1],
Chips; und Dotierung	[1],
CMOS Technik	[1],
Complementary MOS	[1],
Current density	[1],
D,
de Broglie Beziehung	[1], [2],
de Broglie-Relation	[1],
Debey-Scherrer-Verfahren	[1],
Debye	[1], [2],
Debye Temperatur	[1],
Debye-Länge	[1],
Debyelänge	[1], [2],
Defektelektronen	[1],
Denglish	[1],
Depletion	[1],
Diamagnetische Materialien	[1],
Dielektrikum	[1],
Dielektrische Relaxation	[1],
Dielektrizitätskonstante; eines Halbleiters	[1],
Diffraktometer; für Röntgenstrahlung	[1],
Diffusion, von Elektronen und Löchern	[1],
Diffusionskoeffizient; von Elektronen und Löchern	[1], [2], [3], [4],
Diffusionslänge	[1], [2],
Diffusionsstrom	[1],
Diffusionsstrom; elektrisch	[1], [2],
Diffusionströme	[1],
Diffusiosnkoeffizient; von Elektronen und Löchern	[1],
Digital; Transistor	[1],
Diode	[1], [2],
Diode, asymmetrisch	[1],
Diode; p-n-Kontakt als	[1],
Diodengleichung	[1],
Diodengleichung; bei Beleuchtung	[1],
Diodenkennlinie; des Schottky Kontakts	[1],
Diodenkennlinie; experimentell	[1],
Diodenkennlinie; vollständige Gleichung	[1],
Dirac Gleichung	[1],
Direkte Halbleiter	[1],
Dispersionsfunktion	[1], [2],
Dispersionsrelation	[1], [2], [3],
Dispersionsrelation; freie Elektronen	[1],
Dissipation; von Energie	[1],
Donator	[1],
Donatorniveau	[1],
Doppelhelix	[1],
Dotieren	[1],
Drain; eines MOS Transistors	[1],
Dreckeffekte	[1],
Drift velocity	[1],
Drift velocity; of fly swarm	[1],
Driftgeschwindigkeit der Elektronen	[1], [2], [3], [4], [5],
Driftgeschwindigleit; von Ladingsträgern in Halbleitern	[1],
Driftstrom	[1],
Dulong-Petitsche Regel	[1], [2],
Durchschlag; elektrischer in RLZ	[1],
Dynamisches Gleichgewicht; in Halbleitern	[1], [2],
E,
ebene Wellen	[1],
Ebenen; in einem Kristall	[1],
Effektive Zustandsdichte	[1], [2], [3],
Ein Elektron - oder viele?	[1],
Ein-Elektron-Näherung	[1],
Einstein-Beziehung	[1],
Einstein-Nernst-Beziehung	[1],
Einstein-Smoluchowski-Beziehung	[1], [2],
Elastische Streuung	[1],
Eleastische Streuung	[1],
Electron gas	[1],
Elektrische Felder; und Bandverbiegungen	[1],
elektrische Leitfähigkeit	[1], [2], [3],
elektrische Leitung	[1],
elektrischer Dipol	[1],
Elektrischer Strom; und Löcher	[1],
elektrisches Dipolmoment	[1],
Elektrisches Feld; und Bandverbiegung	[1],
Elektromagnetische Linsen	[1],
Elektronen in Festkörpern	[1],
Elektronendichte	[1],
Elektronendichte, plot	[1],
Elektronenmikroskop	[1],
Elektronenmikroskop; Durchstrahlung	[1],
Elektronenstrahlen; zur Strukturbestimmung	[1],
Elektronenstrahlsysteme	[1],
Elektroneutralität	[1],
Energetisch angeregte Zustände	[1],
Energie dissipation	[1],
Energie-Orbitale	[1],
Energie; eines Lochs	[1],
Energieaufspaltung	[1],
Energieband	[1],
Energiebänder	[1],
Energieeigenwert	[1],
Energielücke	[1], [2],
Energielücken	[1],
Energieniveau	[1],
Energienullpunkt; auf Vakuumniveau	[1],
Ensemble average	[1],
Entartung; bei Halbleitern	[1],
Entartung; bzgl der Energie des freien Elektronengases	[1],
Entropie; als treibende Kraft für Verschmutzung	[1],
Ergodic hypothesis	[1],
Ewald Konstruktion der Beugung	[1],
Ewald Kugel	[1],
Exzitonen	[1],
F,
Feldlinien; in der Raumladungszone	[1],
Feldlinien; zur Visualisierung des elektrischen Felds	[1],
Feldstrom	[1], [2],
Feldströme	[1],
Feldstärke; aus Poisson Gleichung	[1],
Feldstärke; statt Spannung	[1],
Fermi-Dirac-Statistik	[1],
Fermi-Dirac-Verteilungsfunktion	[1],
Fermi-Geschwindigkeit	[1],
Fermi-Statistik	[1],
Fermienergie	[1], [2], [3],
Fermienergie; T-Abhängigkeitsplot	[1],
Fermienergiepinning	[1],
Fermionen	[1],
Fermitemperatur	[1], [2],
Ferromagnetische Materialien	[1],
Feste Randbedingungen	[1],
Field strength	[1],
Flache Störstellen	[1],
Flat band MOS condition	[1],
Fliegenschwarmanalogie	[1],
Fouriertransformierte; Reziprokes Gitter als ...	[1],
Freie Elektronen	[1], [2],
Freie Elektronen; Eigenschaften	[1],
Freie Elektronen; Waermekapazitaet	[1],
Freie Weglänge; mittlere	[1], [2],
Frequently asked questions; zu Bandverbiegungen	[1],
Frequenz; einer Welle	[1],
Frequenz; für Phononen	[1],
Frequenzen; freie Elektronen	[1],
Frequenzen; von Licht	[1],
Friction; and energy dissipaton	[1],
Frictional force; on electron	[1],
Funktional	[1],
Füllfaktor einer Solarzelle	[1],
G,
Gangunterschied	[1],
Gate; eines MOS Transistors	[1],
Gechwindigkeit; eines Lochs	[1],
Gedankenversuch; Vorteile des	[1],
Generation; eines Elektron-Lochpaares	[1],
Generation; von Elektron-Lochpaaren	[1],
Generationsrate	[1],
Generationsstrom	[1],
Germanium; heutige Rolle	[1],
Germanium; Problem mit	[1],
Geschwindigkeit; von Teilchen und Wellen	[1],
Gitter; eines Kristalls	[1],
Gitterdefekte	[1],
Gitterschwingung	[1],
Gleichgewicht	[1],
Gleichgewicht; dynamisches	[1],
Gleichgewicht; und Konstanz Fermienergie	[1],
Gleichverteilungssatz	[1],
Grenzfläche; statt Oberfläche	[1],
Grundfrequenz einer Schwingung	[1],
Gruppengeschwindigkeit	[1],
H,
Halbleiter	[1], [2],
Halbleiter; intrinsische	[1],
Halbleiterbauelemente	[1],
Halbleiterentartung	[1],
Halbleiterkontakte	[1],
Halbleitertechnologie	[1],
Hall effect	[1],
Hall Effekt	[1], [2],
Hall Koeffizient	[1],
Hall voltage	[1],
Hamilton Operator	[1],
Heisenbergsche Unschärferelation; und Zustandsdichte	[1], [2],
Heterokontakt	[1],
Heteroübergänge	[1], [2],
High Voltage Electron Microscope	[1],
Hochenergieschwanz; der Fermiverteilung	[1],
Homokontakt	[1],
I,
Idealitätsfaktor; einer Diode	[1],
Idealkristall	[1],
Imaginärteil; als Repräsentation einer klassischen Welle	[1],
Impuls: des Elektrons im freien Elektronengas	[1],
Impulserhaltungssatz; Band-Band Übergänge	[1],
Impulsraum	[1],
Indidzierung reziproker Gitterpunkte	[1],
Indirekte Halbleiter	[1],
Inegrierte Schaltung	[1],
Inelastische Streuung	[1],
Informationszeitalter	[1],
Injektion; von Minoritäten über einen p-n-Übergang	[1],
Injektionsverhältnis	[1],
Innere Energie	[1], [2],
Integrierte Schaltung; und Dotierung	[1], [2],
Intensität von Beugungsreflexen	[1],
Intensität; der gebeugten Welle	[1],
Intensität; gemessen	[1],
Interferenz; und Strukturbestimmung	[1],
Intrinsische Halbleiter	[1],
Intrinsische Ladungsträgerdichte	[1],
Inversion	[1], [2],
Ionenimplantation	[1],
Ionenleiter	[1],
Ionenleitung	[1],
Ionisierungsenergie	[1],
Isolator	[1],
Isolatoren	[1],
J,
Jokes; about Physics	[1],
K,
Kanal; eines MOS Transistors	[1],
Kapazität eines Kondensators	[1],
Klassische Teilchen	[1],
Kondensator	[1], [2],
Konstantan	[1],
Konstantes Potential; beim freien Elektronengas	[1],
Konstruktive Interferenz	[1], [2],
Kontakt; ideal	[1],
Kontaktpotential	[1],
Kontaktpotential; Messung	[1],
Kontaktspannung	[1], [2],
Kontaktspannung; aus Poisson Gleichung	[1],
Konzentrationsgradient; als treibende Kraft für Ströme	[1],
Konzentrationsprofil	[1],
Kristall	[1],
Kristallimpulserhaltungssatz	[1],
Kristallstrukturanalyse	[1],
Kronecker Symbol	[1],
Kronig-Penny Modell	[1], [2],
Kugelwellen	[1],
Kurzschlußstrom; einer Solarzelle	[1],
L,
Ladung; eines Lochs	[1],
Ladungspumpe; Spannungsquelle als	[1],
Lagrange Parameter	[1],
Laser; auf Halbleiterbasis	[1],
Laue-Verfahren	[1],
Laufende ebene Welle	[1],
Laufende Wellen	[1],
Lawinendurchbruch	[1],
Lebensdauer; als Kurzform für Minoritätsladungsträgerlebensdauer	[1],
Lebensdauer; von Elektronen im Leitungsband	[1],
Leerlaufspannung; einer Solarzelle	[1],
Leerstellen	[1],
Leistungsverstärkung: mit einem Transistor	[1],
Leiter	[1],
Leiter, für elektrischen Strom	[1],
Leiterbahnen; auf ICs	[1],
Leitfähigkeit von Halbleitern	[1], [2],
Leitfähigkeit; Mastergleichung	[1], [2],
Leitfähigkeit; spezifische	[1],
Leitungsband	[1],
Leitungsbandkante	[1],
Life time killer	[1],
Loch; im Valenzband	[1],
Longitudinale Wellen	[1],
Lorentz force	[1],
Löcher, in Kristallen	[1],
Löcher; Definition	[1],
Löcher; im Valenzband	[1],
Löcherdichte; plot	[1],
M,
Magnetische Materialien	[1],
magnetische Suszeptibilität	[1],
magnetisches Moment	[1],
Magnetisierung	[1],
Magnetismus	[1], [2],
Majoritäten; als Kurzform	[1],
Majoritätsladungsträger	[1],
Masse; eines Lochs	[1],
Massenwirkungsgesetz; für Elektronen und Löcher	[1],
Materiewelle	[1],
Materiewellen	[1],
Matthiesen Regel	[1],
Maximum der Dispersionkurve	[1],
Maxwell Gleichungen	[1],
Mean free path	[1],
Mean scattering time	[1], [2],
Messung der Kontaktspannung	[1],
Metal-oxid-semiconductor (Technik)	[1],
Metalle	[1], [2],
Miller-Indizes	[1],
Minimum der Dispersionskurve	[1],
Minoritäten; als Kurzform	[1],
Minoritätsladungsträger	[1], [2],
Mittlere freie Weglänge	[1], [2],
Mobility of carriers	[1],
Mobility; and Hall effect	[1],
Mobility; expressed in fundamental terms	[1],
Modell des freien Elektronengas	[1],
Momentaufnahme einer Welle	[1],
MOS Kontakt	[1],
MOS Transistor	[1],
N,
n-dotierte Halbleiter	[1],
n-Kanal MOS	[1],
n-leitende Halbleiter	[1],
Nebenbedingungenen; bei Ableitung Fermi Verteilung	[1],
Nettostrom; für Ohmsches Gesetz	[1], [2],
Netzebenen; und Bragg Bedingung	[1],
Neutrakitätsbedingung; für die Betsimmung der Fermienergie	[1],
Neutronen; zur Strukturanalyse	[1], [2],
Nordheim Regel	[1],
Normierungsfaktor	[1],
O,
Oberflächenzustände	[1],
Ohm's law	[1],
Ohmic materials	[1],
Ohmic resistor	[1],
Ohmsche Materialien	[1],
Ohmscher Kontakt	[1],
Ohmscher Kontakt; Halbleiter-Metall	[1],
Ohmsches Gesetz	[1], [2], [3], [4], [5], [6], [7], [8],
Operator	[1],
Optische Gitter	[1],
Optoelektronik	[1], [2],
Ordnung; von Beugungsreflexen	[1],
Ortsfeste Dotieratome	[1],
Ortsfrequenzen	[1],
Ortsraumdarstellung einer Bandverbiegung	[1],
Oxide capacitance	[1],
P,
p-dotierte Halbleiter	[1],
p-Kanal MOS	[1],
p-leitende Halbleiter	[1],
p-n-Übergang	[1], [2],
p-n-Übergang; Herstellung	[1],
Paramagnetische Materialien	[1],
Pauli Prinzip	[1], [2],
Pauli-Prinzip	[1], [2],
Periodendauer	[1],
Periodische Randbedingungen	[1], [2], [3],
Perpetuum mobile	[1], [2], [3],
Petit	[1], [2],
Phase; einer Schwingung	[1],
Phase; einer Welle	[1],
Phase; geometrisch	[1],
Phasengeschwindigkeit	[1], [2],
Phasenraum	[1],
Philosophie	[1],
Phononen	[1], [2], [3], [4], [5], [6], [7],
Phononen; Eigenschaften	[1],
Photoeffekt	[1],
Photonen; Eigenschaften	[1],
Photonen; zur Strukturanalyse	[1],
Photowiderstand	[1], [2],
Physics and sex	[1], [2],
Plancksches Wirkungsquantum	[1],
Plattenkondensator; als Modell der Raumladungszone	[1],
pn-Kontakt	[1],
Poisson Gleichung	[1], [2],
Poisson Gleichung; und RLZ Weie	[1],
Polarisation	[1], [2],
Polymere	[1],
Potential; aus Poisson Gleichung	[1],
Praxis; und Theorie	[1],
Prozessinduzierte Defekte	[1],
Q,
Quantentheorie: als Grundlage der Halbleiterbauelemente	[1],
Quantenzahlen	[1],
Quantenzahlen; beim freien Elektronengas	[1],
Quantum theory	[1],
Quasifermienergie	[1],
Quasiteilchen: Phonon als	[1],
R,
Radfahrermodell; pn-Übergang	[1], [2],
Radioaktive Zerfall	[1],
Rasterelektronenmikroskop	[1],
Raumladungszone	[1],
Raumladungszone; als Kondensator	[1],
Raumladungszone; Breite	[1],
Realer Kontakt	[1],
Realkristall	[1],
Realkristall; bei Halbleitern	[1],
Realteil: als Repräsentation einer klassischen Welle	[1],
Reduzierte Darstellung; der Bandstrukur	[1],
Reduzierte Wellenvektoren	[1],
Reduziertes Banddiagramm	[1],
Reflex; bei der Kristallbeugung	[1],
Reflexe.	[1],
Rekombination; eines Elektron-Loch Paares	[1],
Rekombination; von Elektronen und Löchern	[1],
Rekombinationsrate	[1],
Rekombinationsstrom	[1],
Restwiderstand	[1],
Restwiderstandsverhältnis	[1],
Rezept; für Bandstruktur von Kontakten	[1],
Reziproke Gittervektoren	[1], [2],
Reziprokes Gitter	[1], [2],
Reziprokes Gitter; als Fouriertransformierte des Raumgitters	[1],
Reziprokes Gitter; geometrische Konstruktion	[1],
Richtungen; in einem Kristall	[1],
Röntgenstrahlung	[1],
Röntgenstrahlung; zur Strukturanalyse	[1], [2],
Rückwärtsstrom	[1],
Rückwärtsstrom; einer Diode	[1],
S,
Scattering mechanisms	[1],
Scattering time, mean	[1],
Schallwellen; als Phononen	[1],
Scharmittel; von Teilchen	[1],
Schottky Diode	[1],
Schottky Kontakt	[1], [2],
Schrödinger equation	[1],
Schrödingergleichung; zeitunabhängig	[1],
Schwarzkörperstrahlung	[1],
Schwellenspannung; des MOS Transistors	[1],
Schwingung in Raum	[1],
Schwingungen	[1],
Sex and physics	[1], [2],
Shockley	[1],
Shockley-Read-Hall Theorie	[1],
Sign of Hall voltage	[1],
Solares Spektrum	[1],
Solarzellen	[1],
Source; eien MOS Transistors	[1],
Space Charge Region	[1],
Spannung	[1],
Spannung; und elektrostatisches Potential	[1],
Spatprodukt	[1],
Specidic resistivity	[1],
Specific conductivity	[1],
Spezifische Leitfähigkeit; von dotierten Halbleitern	[1],
Spezifische Wärme	[1],
spezifischer Widerstand	[1],
spontane Magnetisierung	[1],
Stehende Welle	[1], [2],
Stehende Wellen	[1], [2],
Stehende Wellen; die Gruppengeschwindigkeit von	[1],
Stoesse; zwischen Teilchen als Ersatz für Reibung	[1], [2],
Stosszeit	[1], [2],
Stoßzeit; mittlere	[1],
Streuamplitude	[1], [2],
Streuung	[1],
Streuung an Defekten	[1],
Streuung an Elektronen	[1],
Streuung an Phononen	[1],
Streuung; von Elektronen	[1],
Streuvektor	[1],
Streuvolumen	[1],
Streuzentrum	[1],
Stromdichte	[1], [2],
Stromdichte; statt Strom	[1],
Stromfluß; und Ungleichgewicht	[1],
Stromverstärkung; eines bipolar Transistors	[1],
Strukturamplitude	[1],
Strukturamplitude, Endformel	[1],
Strukturamplitude; Definition	[1],
Strukturfaktor	[1],
Störstellen	[1],
Stöstellenniveaus in Halbleitern	[1],
Sub-Niveaus	[1],
Supraleiter	[1],
Supraleitung	[1], [2],
Synchrotronstrahlung	[1],
T,
Tandem Solarzellen	[1],
Teilchenbild	[1],
Teilchensortierungsbauchweh	[1],
Teilchenströme	[1],
Temperaturgradient	[1],
Temperaturkoeffizient	[1],
Theorie; und Praxis	[1],
Thermalisierung; von Elektronen und Löchern	[1],
Thermische Energie	[1],
Thermodynamik; als Grundlage der Halbleiterbauelemente	[1],
Threshold voltage; des MOS Transistors	[1],
Tiefe Störstellen	[1], [2], [3],
Transistor, bipolar	[1],
Transistor; Prinzip	[1],
Transitzeit; durch die Transistorbasis	[1],
Translationsvetor; eines Kristallgitters	[1],
Transmissionselektronenmikroskopie	[1], [2],
Transversal Wellen	[1],
Treibende Kaft; für Flüsse	[1],
Triode	[1],
U,
Ungleichgewicht; bei Stromfluß	[1],
Unsymmetrischer p-n-Übergang	[1],
V,
Vakuumenergie; als Referenzenergie	[1],
Vakuumenergie; der Elektronen	[1],
Valenzband	[1],
Valenzbandkante	[1],
Variationsrechnung	[1],
Velocity (average) of carriers in a crystal	[1],
Verteilungsfunktion	[1],
Viele Elektronrn - oder nur eines?	[1],
Vorwärtsstrom; einer Diode	[1], [2],
Vorwärtsstrom; eines p-n-Übergangs	[1],
W,
Waermekapazitaet; des freien Elektronengases	[1],
Wafer; Si	[1],
Weiß'sche Bezirke	[1],
Welle	[1],
Welle; als Kombination voneSchwingungen in Raum und Zeit	[1],
Welle; und Gertrud Stein	[1],
Wellebvektor; 1. Auftreten	[1],
Wellen	[1],
Wellenbild	[1],
Wellenfront	[1],
Wellenfunktion	[1],
Wellenlaenge; geometrisch	[1],
Wellenlänge	[1],
Wellenlänge; des freien Elektrongas	[1],
Wellenlänge; einer Welle	[1],
Wellenlänge; von Licht	[1],
Wellenpaket	[1],
Wellenpakete; und Gruppengeschwindigkeit	[1],
Wellenvektor	[1],
Wellenvektor; eines Lochs	[1],
Wellenvektor; für Phononen	[1],
Wellenvektoren; für freie Elektronen	[1],
Widerstand; spezifischer	[1],
Wigner-Seitz Elementarzelle des reziproken Gitters	[1], [2],
Wirkungsgrad; einer Solarzelle	[1],
Wirkungsquerschnitt	[1],
Wärmekapazität	[1],
Wärmekapazität; molar	[1], [2],
Wärmeleitfähigkeit	[1],
Wärmeleitung	[1],
Wärmestrom	[1],
X,Y,Z,
Zeitabhängige Schrödingergleichung	[1],
Zeitkonstante; Rekombination	[1],
Zeitmittel; eines Teilchens	[1],
Zerfall angeregter	[1],
Zustand; codiert durch k	[1],
Zustandsdichte	[1],
Zustandsdichte; effektive	[1],
Zustandsdichte; Formel	[1],
Zustandsdichte; von Phononen	[1], [2],
Zustandsraum	[1],
Zustandssumme; und Boltzmannverteilung	[1],
Zustände: des freien Elektrongsaes	[1],
Zustände; für Elektronen	[1],
Übergänge; im Sinne von Halbleiterkontakt	[1],