Ein froher Mut beim Postulieren wichtiger Gesetze ist ja was schönes, eine belastbare Herleitung ist aber im Zweifelsfall noch schöner. | |||||||||||||||||
Schauen wir also mal, wie sich die mittlere freie Weglänge l bei Vorliegen mehrerer unabhängiger Stoßprozesse darstellt. | |||||||||||||||||
Beispielsweise könnten in einem Material zwei verschiedene Verunreinigungen der Sorte 1 und 2 vorliegen, die jede für sich die mittlere freie Weglänge l 1 bzw. l 2 verursacht. | |||||||||||||||||
Wie läuft das insgesamt? Am einfachsten macht man sich das klar, indem man irgendeinen insgesamt zurückgelegten Weg L anschaut. | |||||||||||||||||
Nachdem das Teilchen diesen Weg L zurückgelegt hat, hat es (immer im Mittel,
natürlich) L/l 1 Stöße mit Verunreinigung 1, L/l 2 Stöße mit Verunreinigung 2 durchgeführt. | |||||||||||||||||
Die Gesamtzahl P der Stöße ist damit | |||||||||||||||||
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Wir können also leicht eine effektive freie Weglänge l eff definieren, die eine Art Mittelwert der individuellen freien Weglängen darstellt. Wir haben also (gleich verallgemeinert) | |||||||||||||||||
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In unserer Widerstandsformel (Für r = 1/s formuliert) steht natürlich im Zweifel die effektive freie Weglänge, denn nur die Gesamtzahl der Stöße ist für den Widerstand entscheidend. Setzen wir die Formel für leff ein, erhalten wir | |||||||||||||||||
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Damit ist gezeigt, daß man die aus verschiedenen Stoßprozessen resultierenden Teilwiderstände tatsächlich einfach aufaddieren darf. | |||||||||||||||||
Im Nachtrag machen wir uns noch schnell (selber) klar, daß exakt die gleich Beziehung für die effektive Beweglichkeit µeff und die effektive mittlere Stoßzeit teff zwischen Stößen gelten muß, d.h. | |||||||||||||||||
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2.4.2 Elektrische Leitfaehigkeit des freien Elektronengases
5.3.1 Beweglichkeit und Leitfaehigkeit bei dotierten Halbleitern
© H. Föll (MaWi 2 Skript)