Wir wollen hier mal ein paar wichtige Zusammenhänge zwischen (Punkt)defektkonzentrationen c (gegeben in [%] oder in [cm– 3] und geometrischen Gößen ableiten. | ||
1. Wie groß ist der mittlere Abstand lD zwischen Defekten mit der Konzentration c? | ||
Hinweis: Man denke sich die Defekte alle im Abstand lD, d.h. auf einem kubischen Gitter mit Gitterkonstante lD angeordnet. | ||
2. Wie groß ist die Oberflächenkonzentration der Defekte, d.h. wieviele findet man auf einer Kristallebene, die man "herausschneidet". | ||
Hinweis: Man beachte, daß eineKristallebene - im Gegensatz zu einer mathematischen Ebene - immer eine Mindestdicke hat. | ||
3. Mit welcher Wahrscheinlichkeit trifft ein in einem Kristall herumvagabundierendes Teilchen auf einen der in der Konzentration c vorliegenden Defekte? | ||
Zur Beantwortung dieser Frage muß man eine wichtige Annahme machen: | ||
"Treffen" bedeutet, daß der Defekt von einer gedachten Scheibe mit Fläche s getroffen wird, in deren Mittelpunkt das vagabundierenden Teilchen liegt. Die Größe s nennen wir den Wirkungsquerschnitt des Teilchens (oder besser des Streuprozesses). | ||
Außerdem müssen wir dem Teilchen natürlich noch eine (mittlere) Geschwindigkeit zuordnen | ||
Hinweis: Berechne das vom Teilchen pro Sekunde "abgetastete" Volumen und überlege, wieviele Defekte in diesem Volumen stecken. | ||
Lösung | ||
2.4.2 Elektrische Leitfaehigkeit des freien Elektronengases
Defekte und mittlere freie Weglänge
© H. Föll (MaWi 2 Skript)