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Ohmsches Gesetz |
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Elektrischer Strom je = mechanischer
Strom jT geladener Teilchen |
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je | = |
q · jT |
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q = Ladung des Teilchens |
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jT | = |
Zahl Teilchen N pro Fläche F und Zeit t |
= | N
F · t | |
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Es zählt nur der Nettostrom
= Differenz der Teilströme. Der Nettostrom ist bestimmt durch die Driftgeschwindigkeit vD |
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Damit ergibt sich die "Mastergleichung" für die Leitfähigkeit; µ ist der Materialparameter "Beweglichkeit" = vD/E |
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Die Existenz einer konstanten Driftgeschwindigkeit trotz einer konstante Kraft
erfordert die Existenz von "Reibung" = Stöße
im Mikroskopischen. | |
vD | = – |
E · e · t m |
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| | l | = |
2t(v0 + vD) | |
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| µ | = | vD
E | | = |
e · t m | |
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s | = |
n · e2 · t m |
= | n · e2 · l
2 · m · (v0 + vD) |
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Stoßpartner für die Elektronen sind Phononen,
Kristallgitterdefekte und andere Elektronen. | |
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Die entscheidenden Parameter sind die mittlere Stoßzeit
t und die damit verknüpfte mittlere
freie Weglänge l |
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Es ergeben sich die nebenstehenden Beziehungen. |
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Die mittlere thermische Geschwindigkeit v0 folgt aus der klassischen
Thermodynamik: | |
E = Ekin = ½ m · v02 = 3/2
kT |
v0 | = | æ ç è
| 3 kT m | ö ÷ ø
| 1/2 |
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Für Metalle mit bekannter Konzentration n der Elektronen und
gemessenen Leitfähigkeiten lassen sich die interessanten Größen ausrechnen; man erhält |
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v0 | » |
5 · 104 m/s | | |
| t |
» | 4 · 1014 s |
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vD | » |
6 · 101 m/s | | |
| l |
» | 3 nm |
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Das kann nicht stimmen - insbesondere l ist viel zu klein! |
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Offenbar ist Quantentheorie erforderlich! |
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Der Hall Effekt betrachtet Stromfluß im Magnetfeld
Bz. Bei orthogonaler Geometrie wird senkrecht zu Ex und Bz
eine Hallspannung Ey · Breite induziert. |
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Ey | = |
– µ · Ex · Bz = RHall
· Bz · jx | |
| RHall |
= ± | µ s |
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Damit sind Beweglichkeiten direkt meßbar; das Vorzeichen der Hallkonstante gibt direkt
das Vorzeichen der fließenden Ladungen. | |
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Gelegentlich findet man positive Ladungen; klassisch nicht
erklärbar.Offenbar ist Quantentheorie erforderlich! |
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Näherung (= Modell) des freien Elektrongases |
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Nur ein Elektron; Potential V =
const = 0 im Kristall der Länge L; periodischen Randbedingungen |
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Ergebnis: Welle mit Amplitude (1/L)3/2 |
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y(r) | = |
æ ç è | 1 L |
ö ÷ ø | 3/2 | · exp |
(i · k · r) |
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Aufenthaltswahrscheinlichkeit überall gleich! Das Elektron ist "ausgeschniert". |
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Entscheidende Größe ist der Wellenvektor k. Er
bestimmt direkt: | |
kx = ± |
ny · 2p L |
| ky = ± |
ny · 2p L |
| kz = ± |
nz · 2p L |
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Die "Nummer" (= Quantenzahlsatz) der Lösung. |
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Den Impuls p = k. |
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Die Gesamtenergie E µ
k2. | |
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Die Wellenlänge l = 2p/k. |
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Die Energie ist bezüglich der Quantenzahlen entartet. Die Zustandsdichte
D(E) mißt, wieviel Zustände DNe sich in einem
Energieintervall DE und im Volumen V befinden. |
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Die Zustandsdichte ist über Abzählen im Phasenraum (= Raum der Wellenvektoren)
leicht zu berechnen. | |
D(E) = | (2 · m)3/2
2 · 3 · p2 |
· E 1/2 |
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Beim Auffüllen der Zustände mit Elektronen (bei T = 0 K),
wird bei einer definierten Energie - der Fermienergie EF - das letzte Elektron untergebracht sein. |
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EF | = |
2 2me |
æ ç è |
3p2 · ne |
ö ÷ ø | 2/3 |
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Für eine bekannte Elektronendichte ne ist die Fermienergie leicht
berechenbar. | |
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Zustandsdichte und Fermienergie sind für die elektronischen Eigenschaften
realer Kristalle die wichtigsten Kenngrößen überhaupt! Sie sind immer
noch wohl definiert, auch wenn die einfachen Modellformeln des freien Elektronengases für reale Kristalle modifiziert
werden müssen! |
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Fermi-Dirac Verteilungsfunktion |
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f(E, EF, T) = Wahrscheinlichkeit dafür, daß ein Platz bei der Energie
E in einem System mit Fermienergie EF und Temperatur T besetzt ist.
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Damit Wahrscheinlichkeit für Nichtbesetzung |
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Die "Fermi Verteilung" oder "Fermi Statistik" hat die nebenstehende
Gestalt: | |
f(E, T) = |
1 |
exp |
æ è |
E – EF kT |
ö ø |
+ 1 |
f(E, T) » |
exp – |
E – EF kT |
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für E > EF |
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f(E, EF, T) ist eine universelle
Funktion die für alle fermionischen Systeme im thermodynamischen Gleichgewicht gilt |
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Für den "Hochenergieschwanz" darf man die Boltzmannverteilung verwenden |
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f(E = EF) = ½ definiert die Fermienergie |
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Der "Aufweichungsbereich" liegt in der Größenordnung kT |
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Wichtige Formeln sind | |
n = |
¥
ó õ 0 |
D(E) · f(E,T) · dE |
n(E1, E2) = |
E2
ó õ E1 |
D(E) · f(E,T) · dE |
E(E1, E2) = |
E2
ó õ E1 |
E · D(E) · f(E,T) · dE |
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n = Gesamtvolumendichte der Elektronen des Systems. |
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n(E1, E2) = Volumendichte der
Elektronen im gegebenen Energieintervall | |
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E(E1, E2) = Gesamtenergie(volumendichte)
im gegebenen Energieintervall | |
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Dies Gleichungen gelten immer, d.h. nicht
nur für das freie Elektronengas. Im realen Kristall unterscheidet sich hier nur
die Zustandsdichte von der des freien Elektronengases. | |
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Schnelle Abschätzung gibt |
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Ce » |
9NA 2EF |
· k2T | = 9/2 R · |
kT EF |
= 9/2 R · | T
TF |
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Merke: Mathe kann schwierig sein, Physik ist aber klar. |
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Bei klassischer Leitfähigkeit ebenfalls
Fehler weil kein Pauli Prinzip berücksichtigt. | |
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Dadurch ist die mittlere Geschwindigkeit v0 viel zu klein |
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"Reparatur" klassischer Formel: Ersetze v0(klassisch) durch "Fermigeschwindigkeit
vF" | |
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Damit größere freie Weglängen; grundsätzliches Verständnis möglich. |
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Genauer Betrachtung der mittleren freien Weglänge als Funktion von Temperature,
Defekten, Legierung usw. ergibt die klassishen "Reglen" und "Gesetze" für die Leitfähigkeit
der Metalls. | |
Matthiesen Regel:
r » r0
(1 + aT) | |
a » 4 · 10 3
K 1 |
| Nordheim Regel:
r µ Konz. Legierungselement |
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© H. Föll (MaWi 2 Skript)