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Zunächst betrachen wir das Grenzverhalten für T
Þ 0 K |
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Wir bekommen |
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Für E – EF = DE
< 0 : | | f(E, 0K) = |
1 exp (– ¥) + 1 |
= 1 | |
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Für E – EF = DE
> 0 : | | f(E, 0K) = |
1 exp (+ ¥) + 1 |
= 0 |
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Das ist genau das, was wir brauchen. |
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Es ist nun verhältnismäßig einfach, die Fermiverteilung für
eine gegebene Temperatur und Fermienergie auszurechnen. Man erhält eine Kurve wie folgt: |
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Das Rechteck bei T = 0 K bekommt mit steigender Temperatur zunehmend eine weiche
Flanke; genauso wie wir es vorhersagen konnten. |
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Der "weiche" Bereich oder die "Aufweichungszone"
hat dabei eine Breite von ungefähr 4 kT. Auch das entspricht der Vorhersage - aber jetzt können
wir es ausrechnen; wir wollen das auch in einer Übungsaufgabe tun. |
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Wir können weiterhin vermuten, daß der "Hochenergieschwanz" der Fermiverteilung durch die Boltzmannverteilung approximiert
werden kann. |
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Für E >> EF gilt |
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Das diese Beziehung stimmt, wird ebenfalls in der folgenden Übungsaufgabe gezeigt. |
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Wir wollen eine Grundeigenschaft der Fermieverteilung noch mal wiederholen: |
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Sie regelt die Verteilung von Fermionen
auf verfügbare Energieplätze im Gleichgewicht. Daraus folgt im Umkehrschluß |
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1. Die Fermiverteilung und
damit insbesondere die Fermienergie (ein anderes Wort für chemisches Potential) ist nur für
das Gleichgewicht überhaupt definiert. |
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2. Damit muß im Gleichgewicht
die Fermienenergie überall im Material konstant sein. |
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Eine weitere, mehr abstrakte Eigenschaft soll noch angesprochen werden: |
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Wir haben die Fermienergie definiert als die Energie, bei der f(EF,T)
= ½. Damit ist die Wahrscheinlichkeit, daß ein Energieniveau bei der Fermienergie besetzt ist, genau ½. |
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Es ist aber grundsätzlich möglich, daß es in der Umgebung der Fermienergie
gar kein Energieniveau gibt. In anderen Worten: Die Fermienergie kann ohne weiteres
in einem Energiebereich liegen, in dem die Zustandsdichte "zufällig" gerade = 0 ist. |
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Oder noch mal anders formuliert: Die Fermiverteilung gibt nur
die Wahrscheinlichkeit an, daß die bei der Energie E vorhandenen
Plätze besetzt sind. Wie groß die Zahl der Plätze ist, vielleicht sogar Null, hat mit der Fermiverteilung
nichts zu tun. |
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Die Volumendichte
n(E) = N/V der Teilchen die auf den Plätzen bei E
sitzen, oder die Zahl
N(E) ist immer gegeben durch |
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n(E) | = |
Dichte der Plätze mal
Wahrscheinlichkeit der Besetzung mal Energieintervall |
| | | | = |
D(E) · f(E,T) · DE |
| | | N(E) |
= |
D(E) · f(E,T) · DE ·
V |
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Das ist eine Schlüsselformel! Sie gilt für alle Systeme
mit Fermionen! Wir schreiben sie mal genau so pompös auf, wie früher
die Boltzmanverteilung: |
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Falls ein thermodynamisches System vieler freier Elektronen verschiedene Energiezustände
E hat, mit D(E) besetzbaren Plätzen bei E, dann ist im thermodynamischen
Gleichgewicht die (differentielle) Teilchendichte d(n(E)) /dE bei der Energie E gegeben
durch
dn(E) =
| dE · D(E) ·
| 1
| exp |
æ è |
Ei – EF
kT | ö ø
| + 1 |
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Dabei ist D(E), die Zustandsdichte, eine für das System charakteristische
Funktion, und EF, die Fermienergie, eine für das System
charakteristische Energie (= Zahl). |
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Die Anwendung dieser Gleichung auf das Modell des freien Elektronengases liefert
die folgende Graphik und Formel |
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n(E) = |
(2 · me)3/2 · E
1/2 |
2 · p2 ·
3 · ( exp |
æ è |
Ei – EF
kT | ö ø
| + 1) |
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Wir erkennen ein gewisses Problem: Obwohl die Materie glasklar ist, und die entsprechenden
Graphiken leicht zu konstruieren sind, werden die Formeln schon für den allereinfachsten Fall des freien Elektronengases
etwas unhandlich! Das soll uns aber nicht schrecken, denn um mit länglichen Formeln einfach umgehen zu können,
haben die Materialwissenschaftler den Si-Chip erfunden und auf Höchstleistung trainiert! Jeder handelsübliche
PC oder Laptop mit einem einfachen Matheprogramm macht das mit Links! |
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Wir können jetzt sofort die entscheidenden
Gleichungen für alles weitere aufschreiben: |
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Die Gesamtzahl
N bzw. die Dichte n aller Elektronen im System muß per definitionem
gegeben sein durch |
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n = |
¥
ó õ 0 |
D(E) · f(E,T) · dE |
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Die Zahl N(E1, E2) bzw. Dichte n
der Elektronen, die sich im Energieintervall (E1, E2)
befinden, ist entsprechend |
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n(E1, E2) = |
E2
ó õ
E1 |
D(E) · f(E,T) · dE |
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Die gesamte Energie
Eges(E1, E2), die auf die Elektronen im Energieintervall (E1,
E2) entfällt ergibt sich damit (pro Volumen) ganz einfach zu |
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Eges(E1, E2) = |
E2
ó õ E1 |
E · D(E) · f(E,T) · dE |
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Oben hätte man auch gesamte Energiedichte
schreiben können aber dann ist nicht so klar welche Dichte man meint: pro Energieeinheit oder pro Volumen? |
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Zum Schluß noch zwei auf den ersten Blick etwas seltsame anmutende Beziehungen,
die wir aber noch oft brauchen werden: |
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Die Wahrscheinlichkeit wh dafür, daß
ein Platz bei der Energie E
nicht besetzt ist, wird gegeben durch |
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Die Dichte n× an "Teilchen", die nicht auf verfügbaren
Plätzen sitzen, oder wir könnten auch sagen die Dichte der Nichtteilchen, oder schlicht die Dichte der noch freien
Plätze, ist |
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n×(E1, E2) = |
E2
ó õ
E1 |
D(E) · (1 – f(E,T) · dE |
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Wir schauen uns das noch schnell in einer Graphik an: |
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Damit haben wir jetzt ein erstes mächtiges Werkzeug, um den elektronisch
bedingten Eigenschaften der Materialien nachgehen zu können. |
© H. Föll (MaWi 2 Skript)