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WHL < WMe |
WHL > WMe |
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0. Ausgangssituation |
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Wir haben ein erstes Problem: Eigentlich sollten jetzt links die Löcher vom Metall auf die energetisch höhergelegenen
Plätze im Halbleiter fließen, rechts die Löcher vom Halbleiter ins Metall
- aber gibt es überhaupt Löcher im Metall ?? |
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Warum nicht? Es gibt sicher unbesetzte Plätze, auch unterhalb der Fermienergie. Falls
ein Elektron genügend Energie bekommen hat, entschwindet es (energetisch) "nach oben" - zurück bleibt
ein Loch. |
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Die Antwort ist also: Ja es gibt Löcher in Metallen - auch bei "strenger"
Definition. |
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Wir können damit ohne weiteres den Kontakt p-Halbleiter-Metall diskutieren,
indem wir einfach auch im Metall mit Löchern arbeiten - ohne einen Fehler zu machen. Aber wir können es auch ohne Löcher im Metall tun - nur mit Elektronen. |
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Wir stoßen hier auf eine prinzipielle Frage, die für
jedes reale Bauelement auftritt: Wie wird ein im Halbeiter fließender Löcherstrom
in einen im Metall in der Regel fließenden Elektronenstrom umgewandelt?
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Die Antwort folgt aus der Definition des Stromflusses: Die Elektronen müssen
für gleiche Stromrichtung in die entgegengesetzte Richtung wie die Löcher
fließen. Dafür gibt es zwei Möglichkeiten |
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1. Am (ohmschen) Kontakt Halbleiter-Metall treffen Löcher und Elektronen
paarweise aufeinander (⇒⇐) und verschwinden per Rekombination. Der elektrisch fließende Strom ist dann gleich der Rekombinationsrate (=
geladene Teilchen pro Zeiteinheit = Ladung pro Zeit = Strom). |
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Bildhaft ausgedrückt injiziert das Metall Elektronen ins Valenzband, wo sie
auf Löcher treffen - Exitus. |
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2. Am ohmschen Kontakt werden Elektron Lochpaare generiert,
die dann in entgegengesetzte Richtungen laufen (⇐
⇒). Der elektrische fließende Strom ist dann gleich der Generationsrate (= geladene
Teilchen pro Zeiteinheit = Ladung pro Zeit = Strom). |
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Bildhaft ausgedrückt zuzzelt das Metall Elektronen aus dem Valenzband, dabei
bleiben Löcher zurück. |
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Hilft das weiter? Ja! denn nun können wir nach Belieben
mit Löchern oder Elektronen arbeiten. Ob wir vom Metall aus Löcher ins Valenzband des Halbleiters injizieren,
oder ihm Elektronen raussaugen bleibt sich wie so vieles andere auch, (gehn' wir zu dir oder zu mir?) vom Ergebnis her gleich.
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Hier gleich die fertigen Banddiagramme (immer nach
"Rezept") |
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2.
Zeichne "weit" links vom Kontakt das Banddiagramm von Material 1; weit rechts
das von Material 2; immer relativ zu der bereits festgelegten Fermienergie. 3.
Verbinde Leitungs- und Valenzband durch eine "gefühlsmäßig" gezeichnete
Bandverbiegung | |
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Im linken Fall laden wir die Metallseite negativ (Elektronen aus dem Valenzband
heraussaugen = Löcher hineinzugeben); die Halbleiterseite ist dann positiv - wir haben wieder das Phänomen der
Akkumulation |
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Rechts läuft alles umgekehrt: Wir injizieren Elektronen ins Valenzband (oder ziehen Löcher
raus), und erniedrigen in jedem Fall lokal die Löcherdichte - es entsteht eine Raumladunsgzone. |
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Natürlich steigt dadurch auch die Elektronendichte im Leitungsband, aber das ist nicht
so wichtig. |
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