Hier ist schematisch gezeigt wie die vorher gezeigte Prinzipskizze eines Transistors funktioniert.
		In den "dotierten" (d.h. mit Bor oder Phosphor beaufschlagten) Gebieten wird elektrischer Strom durch positive oder negative Ladungsträger geleitet - aber Mischungen sind nicht zulässig.
		Ohne angelegt Spannung am Gate, sind die positiven Ladungsträger eingesperrt; sie können nicht unter dem Gate durchfließen.
		Legt man jedoch eine genügend hohe negative Spannung ans Gate, werden die ebenfalls negativen Ladungsträger unter dem Gebiet ins Innere des Siliziums getrieben und der Weg für die positiven Ladungsträger wird frei - es fließt Strom!
		Dies sieht zwar nach einfacher Elektrostatik aus - aber der Eindruck trügt! Elektrostatik plus ein klassisches mechanisches Konzept des Si -Kristalls würde nicht funktionieren
		Es ist unmöglich, diesen Transistor ohne Quantentheorie und statistische Thermodynamik zu verstehen; und rechnen - z.B. bei welcher Gatespannung Strom anfängt zu fließen - kann man ohne Kenntnisse in diesen modernen Theorien überhaupt nichts.