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Wesentliche Punkte des Bipolartransistors: |
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Der Emitter-Kollektor-Strom wird durch den Emitter-Basis-Strom gesteuert. Immer
npn- oder pnp-Struktur mit dünner Basis. | |
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Die Emitter-Basis-Diode ist in Durchlaßrichtung gepolt, die Basis-Kollektor-Diode in
Sperrichtung. | |
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Die in die Basis injizierten Majoritäten des Emitters durchwandern die Basis (deshalb
dB << L) und gewinnen viel Energie im starken Feld des Basis-Kollektor-Kontakts
Þ Leistungsverstärkung; aktives Bauelement! |
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Die Stromverstärkung
b = IC/IB ist durch die Dotierung
bestimmt: | |
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| b |
» |
NDot(Emitter)
NDot(Basis) |
æ
ç
è | 1 – |
dB
L | ö
÷
ø
| » |
NDot(Emitter)
NDot(Basis) |
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Wesentliche Punkte des MOS -Transistors |
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Der Source-Drain-Strom I
SD wird durch die Gate-Spannung
UG gesteuert. Grundstruktur: Metall (allg. Leiter) - Oxid (allg. Dielektrikum)
- Semiconductor. | |
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Einer der beiden pn-Übergänge von Source oder Drain zum Substrat ist ohne
passende Gatespannung immer gesperrt.
Þ
I SD
» 0 A für UG = 0 V |
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Gatespannungen mit derselben Polarität wie die Majoritäten unter dem Gate treibt
die Majoritäten elektrostatisch "nach unten", d. h. sie verringern nMaj |
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Massenwirkungsgesetz: nMaj
ß Þ
nMin
Ý. Bei U G > Uthr
wird Inversion erreicht; danach hat das Gebiet unter dem Gate dieselbe Art Majoritätsträger
wie Source und Drain. | |
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Zwischen Source und Drain existiert jetzt ein leitender Kanal; Strom kann fließen. |
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Entscheidend für die Funktion ist die Gate-Substrat-Kapazität und damit das Gate- Dielektrikum: je höher
er und je dünner, desto besser. | |
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Merke: Þ |
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Halbleiter und Halbleitertechnologie
sind das Zentrum
moderner Technik. |
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© H. Föll (MaWi für ET&IT - Script)
