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Solarzelle = großflächiger pn-Kontakt |
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Kennlinie mit wesentlichen Parametern
- Leerlaufspannung
- Kurzschlußstrom
- Füllfaktor
- Arbeitspunkt
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Lichtabsorption produziert zusätzliche Minoritäten; fließen ab
als Photostrom falls sie bis zur RLZ diffundieren können. |
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Damit große Diffusionlsänge erforderlich. |
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Wirkungsgrad begrenzt durch
- Nicht absorbierte Photonen (Zahl steigt mit zunehmendem EG)
- Verlorene Überschußenergie Photon (Wird größer mit abnehmendem EG
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Optimales EG
» 1,5 eV mit hmax
» 30 % | |
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Si Solarzellen: hmax
» 25 %; htech
» 15 %. | |
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Bipolar Transistor |
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npn- oder pnp-Struktur mit dünner Basis. |
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Die Emitter-Basisdiode wird in Vorwärtsrichtung betrieben und injiziert die Majoritätsladungsträger
des Emitters in die Basis. | |
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Dort diffundieren diese Ladungsträger bis zum Kollektor, wo sie durch das elektrische
Feld der in Rückwärtsrichtung gepolten Basis-Kollektordiode "abgesaugt" werden |
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Damit Stromverstärkung möglich mit |
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MOS Transistor |
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Prinzip: Schaffung eines Kanals unter dem Gate mit derselben Ladungsträgerart wie Source/Drain. |
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Dazu nötig: Inversion: Reduzierung der Majoritätsladungsträgerkonzentration
durch elektrostatische "Abstoßung" direkt unter dem Gate bis (durch Massenwirkungsgesetz) die Minoritätsladungsträger
überwiegen. | |
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Schwellspannung (Threshold Voltage): Notwendige Spannung zur Erreichung der Inversion; einstellbar
durch Technologieparameter (insbesondere Dicke des Gate Dielektrikums). |
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© H. Föll (MaWi 2 Skript)
