 |
Halbleiter-Metall-Kontakte folgem dem allgemeinen Rezept zur Konstruktion eines
Banddiagramms. |
|
 |
Es wird jetzt aber eine absolute Energieskala benötigt (da bei Heterokontakten nicht wie bei Homokontakten die Valenz- oder
Leitungsbandkante als eine für beide Partner identische Referenzenergie dienen kann). |
|
|
Nach Rezept ergeben sich folgende Bandschemata; als neues Phänomen taucht
"Akkumulation" oder "Anreicherung" an Ladunsgträgern auf |
| |
| n-Si - Metall |
|
 |
| RLZ; Verarmung; Schottky Kontakt |
Keine RLZ, Akkumulation, Ohmscher Kontakt |
| n-Si - Metall |
 |
 |
| Keine RLZ, Akkumulation, Ohmscher Kontakt |
RLZ; Verarmung; Schottky Kontakt |
|
WHL < WMe |
WHL > WMe |
|
|
Mit externer Spannung erhält man, wie angedeutet, entweder Diodenverhalten
oder Ohmsche Kontakte. |
|
|
Hier noch eine Gesamtdarstellung: |
| |
|
|
Die Berechnung der Diodenkennlinien ist etwas komplizierter als für den
pn-Übergang; folgt aber denselben Grundsätzen. |
|
"Ideale" Halbleiter - Metallkontakte sind zwar schwer herzustellen,
aber die praktische Bedeutung realer Halbleiter - Metallkontakte ist hoch: |
|
|
Ohne Ohmsche Kontakte keine Elektronik! |
© H. Föll (MaWi 2 Skript)
