| Dieses Kapitel ist im englischen Skript ausführlicher! |
Korngrenzen in BaTiO3
NiSi2 - Hellfeld
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Reine Stufen, reine Versetzungen und Mischungen
in der kub. - hex- - Grenzfläche (übertragbar auf S=3 Korngrenzen) Korngrenzen in BaTiO3 NiSi2 - Hellfeld |
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Lehre daraus: Aufpassen mit der Interpretation endender Netzebenen an Korn- und Phasengrenzen! (Alle Netzebenen enden; es sind andere, die scheinbar kohärent weiterlaufen). | ||
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Komplikation daraus: Läuft man in der Ebene einer Phasengrenze über eine Versetzung, landet man auf einer anderen Ebene, je nach Stufenhöhe. Läuft man in einem geschlossenen Kreis über mehrere Versetzungen, muß die Summe der Stufen=0 sein, da man ja wieder auf der Ausgangsebene landen muß. | ||
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Abbildung: Hexagonales Versetzungsnetzwerk und Ebenen einer S=3 Phasen- oder Korngrenze | ||
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Mindestens eine der drei Versetzungene muß eine Kombination aus reiner DSC-Gitter Versetzung und reiner Stufe sein. | ||
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Eine sonst nicht sichtbare Asymmetrie des Netzwerks ist die Folge; es gibt eine Vorzugsrichtung. | ||
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Schlußfolgerung: Es gibt noch viel zu tun! Ungelöste Fragen: | ||
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Wie klettern die Grenzflächenversetzungen, wenn die Phasengrenze während der Reaktion immer tiefer ins Innere des Siliziums läuft? | ||
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Greifen die Zwangsbedingungen für die Ströme der atomaren Fehlstellen, die durch Kletterprozesse bedingt sind, in die Kinetik des Wachstums ein? | ||
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Läßt sich die Vorzugsrichtung des hex. Netzwerks von oben nachweisen? Wie? | ||
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Was für eine Defektsorte bildet die Grenze zwischen zwei Netzwerken mit verschiedener Vorzugsrichtung? | ||
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