Selbstdiffusion in Silizium

Selbstdiffusionskoeffizienten inSi
 Tracer Selbstdiffusions-Koeffizienten von Silizium als Funktion der reziproken absoluten Temperatur (nach Frank et al., 1984)
diffundierendes
Element		 Beschreibung
der Diffusion		 Do [10-14 m2 s-1] Q [eV] Referenz
Si DT 1800 4.77 Peart, 1966
1200 4.72 Ghostagore, 1966
9000 5.13 Fairfield und Masters, 1967
1460 5.02 Mayer et al., 1977
8 4.1 Hirvonen und Antilla, 1974
154 4.65 Kalinowski und Seguin, 1980
20 4.4 Demond et al.; 1983
 
Si DICIeq 914 4.84 Stolwijk et al.; 1984
320 4.80 Stolwijk et al.; 1988
2000 4.94 Hauber et al., 1989
1400 5.01 Mantovani et al., 1986
 
Si DVCVeq 0.57 4.03 Tan und Gösele, 1985
10-5 0.4 Tan und Gösele, 1985
 
I DI 3.75 10-9 0.13 Bronner und Plummer, 1985
8.6 10-5 4.0 Taniguchi et al.; 1983
 
V DV 0.1 2.0 Tan und Gösele, 1985
Ge DS 2500 4.97 Hettich et al.; 1979
Sn DS 32 4.25 Teh et al., 1968
CS DS 1.9 3.1 Newman and Wakefield, 1961
Ci Di 4.4 0.88 Tipping and Newman, 1987
O Di 0.07 2.44 Mikkelsen, 1986

Auf D=D0 exp (-Q/kBT) gefittete Diffusionskonstanten verschiedener Elemente einschließlich Eigenzwischengitteratomen und Leerstellen in Silizium.

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