D-Defekte im ELYMAT

Mit dem ELYMAT (bei Internetanschluß hier weitere Informationen) können u.a. auch D-Defekte auf Siliziumwafern nachgewiesen werden.

Die ELYMAT-Methode ist sehr empfindlich auf die Rekombination von Minoritätsladungsträgern in Silizium. Verunreinigungen und Defekte (so auch D-Defekte) im einkristallinem Silizium verursachen eine Abnahme des Photostroms, der das Meßsignal bei dieser Methode ist. Dunkle Bereiche des Wafers liefern einen hohen Photostrom, helle Bereiche einen geringen. Über diese bildgebende Messung lassen sich Defekte auch durch ihre Verteilungsart im Wafer identifizieren. So wird der helle Ring durch Sauerstoffausscheidungen beim Kristallziehprozess verursacht, im hellen Bereich innerhalb des Rings befinden sich D-Defekte, im Bereich außerhalb des Ringes A-Defekte im Wafer. Natürlich liefert dieses Bild allein nicht alle diese Daten; man braucht dazu weitere Informationen aus anderen Quellen. Bemerkenswert ist aber die Anordnung der Defekte, die mit anderen Methoden nicht ohne weiteres (zerstörungsfrei) wiedergegeben werden kann.