Schnelle Fragen zu 9.3.1: Grundsätzliches | |||
Das Bild unten zeigt Konzentrationen von Bor (B) und Phosphor (P)i n einem Stück Si. Ist ein pn-Übergang vorhanden? Falls, ja, warum und wo? Welche Seite wäre ggf. n-Si, welche p-Si? | |||
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Wie würde man solche Konzentrationsprofile machen? | |||
Was ist ein Schottky Kontakt (qualitative I-U -Kennlinie angeben). In was unterscheidet er sich von einem Ohmschen Kontakt (qualitative I-U-Kennlinie angeben)? Welche Materialien sind in beiden Fällen im Kontakt? | |||
Nenne (im Zweifel "gefühlt") einige andere Kontakte mit nicht-linearer Kennlinie (d. h. keine Ohmschen Kontakte). | |||
Wie macht man elektronisch interessante Kontakte ganz sicher nicht - und warum ? Wie macht man es, oder könnte es prinzipiell machen? | |||
Warum sind Diffusion und die Fickschen Diffusionsgesetze die Grundage aller Halbleitertechnologie? | |||
Schnelle Fragen zu 9.3.2: Oberflächenzustände und Bandverbiegung | |||||
Wie dick ist eine reale Oberfläche mindestens? Wieviele Atome pro cm2 finden ungefähr Platz auf der Oberfläche für einen Kristall mit Gitterkonstante a ? | |||||
Warum gibt es für Elektronen an der Oberfläche Zustände in der Energielücke; oder generell andere Zustände als für Elektronen im Volumen? | |||||
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Wie groß ist in etwa die Zahl der Zustände für die gezeigten Oberflächenzustände in cm–2 und cm–3 (endliche Dicke beachten). Nebenbei: Wie kommt man von der Zustandsdichte zur Gesamtzahl? | ||||
Gegeben sei eine große Zahl von Oberflächenzuständen wie im nebenstehenden
Bild angedeutet. Wo kann die Fermienergie nur liegen? Hinweis: Überwiegend nicht besetzt Zustände liegen immer oberhalb der Fermienergie. |
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Wie sieht das Banddiagramm vermutlich an einer Korngrenze in polykristallinen Halbleitern aus? | |||||
Was geschieht, wenn sich ein n-Halbleiter mit seiner Oberfläche "in Kontakt"
setzt? Hinweis: Man versetze sich in die Lage der Elektronen im Leitungsband, die auf der Suche nach Plätzen mit niedrigerer Energie sind. | |||||
Was geschieht, wenn sich ein p-Halbleiter mit seiner Oberfläche "in Kontakt"
setzt? Hinweis: Man versetze sich in die Lage der Löcher im Valenzband, die auf der Suche nach Plätzen mit höherer Energie sind. | |||||
Konstruiere für beide obigen Fälle das Banddiagramm; folge und erläutere dabie das "drei-Stufen-Rezept". | |||||
Was für Partialströme fließen über die Raumladungszone? Wie groß sind sie? Was sind die treibenden Kräfte für diesen Stromfluss? | |||||
Wieso ist die Fermienergie im Gleichgewicht überall gleich groß? | |||||
Rutschen die Bänder an Stellen negativer Ladung "rauf" oder "runter"? Wie kann man sich das sofort klarmachen? | |||||
Das nachfolgende Bild zeigt ein Banddiagramm, bei dem die Bandverbiegung in Leitungs- und Valenzband verschieden ist - die Löcher könnten ja andere Verhältnisse haben als die Elektronen. Warum ist das Blödsinn und komplett falsch? | |||||
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Schnelle Fragen zu 9.3.3: Bandverbiegung und Raumladungszone | ||||||||||||||||||||||||
Warum gibt es in Raumladungszonen so gut wie keine freien Ladungsträger? Nenne zwei Gründe! | ||||||||||||||||||||||||
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Wir kommt man auf die erste Gleichung zur Kapazität einer Raumladungszone? Begründe insbesondere den Faktor 2. | |||||||||||||||||||||||
Was soll man sich unter der Dielektrizitätskonstanten e Si eines Halbleiters vorstellen? Wie groß ist sie etwa? Welcher Polarisationsmechanismus ist beteiligt? | ||||||||||||||||||||||||
Welche Definition einer Kapazität C steckt hinter der zweiten Gleichung? Was steht im Nenner und was im Zähler? Wo kommt der Ausdruck "Kontaktspannung " zum Tragen? | ||||||||||||||||||||||||
Wie kommt man auf die Formel für die Weite dRLZ der Raumladungszone (Herleitung). | ||||||||||||||||||||||||
Wie ist die dRLZ-Formel zu verändern, wenn man zusätzlich zur Kontakspannung noch eine externe Spannung Uex anlegt? | ||||||||||||||||||||||||
Wie groß ist in etwa das elektrische Feld
ERLZ
in einer RLZ? Formel? Skizziere halbwegs quantitativ dRLZ und ERLZ
über ND. Hinweis: Die maximale Kontaktspannung hat etwas mit der Bandlücke zu tun |
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Skizziere in einem Orstbild die Verteilung der Ladungen und das elektrische Feld im Halbleiter-Oberfläche Kontakt. | ||||||||||||||||||||||||
Warum kann man die Kontaktspannung mit einem Voltmeter nicht messen? | ||||||||||||||||||||||||
9.3.2 Oberflaechenzustaende und Bandverbiegung
9.3.3 Bandverbiegung und Raumladungszone
© H. Föll (MaWi für ET&IT - Script)