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Berechne die Fermienergie für dotierte Halbleiter |
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Zunächst formen wir den Ausdruck 1 – f(EV, T) etwas
um, da die 1 auf jeden Fall lästig ist. Wir bringen alles auf einen Nenner und erweitern dann geschickt |
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Es ergibt sich (nicht übersehen, dass exp(-a) · exp(+a) = 1): |
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1 – f(E, T) | = |
1 – | 1
1 + exp – |
(E – EF) / (kT ) |
| = |
1 + exp – |
(E – EF) / (kT ) |
1 + exp – |
(E – EF) / (kT ) |
| – | 1
1 + exp – |
(E – EF) / (kT ) |
| | | | | | |
| | | = | |
1 + exp – |
(E – EF) / (kT ) |
| = |
{exp – |
(E – EF) / (kT )} |
· {exp –(E +
EF) / (kT )} |
{1 + exp – |
(E – EF) / (kT )} |
· {exp –(E +
EF) / (kT )} |
| | | | | |
| | = | |
1
1 + exp – |
(E + EF) / (kT ) |
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Damit lautet die Bestimmungsgleichung für EF |
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NLeff
1 + exp – |
(EL – EF) / (kT ) |
| = | ND
1 + exp – |
(ED + EF) / (kT ) |
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Für NLeff = ND
= N wird's einfach. Wir erhalten |
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| = |
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EL – EF | = |
ED + EF | | |
| EF | = | | |
EL – ED 2 | | |
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Die Fermienergie liegt dann also genau zwischen der Leitungsbandkante und dem Donatorniveau. |
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Für NLeff ¹
ND = N ist es etwas haariger; aber machbar. Wir schenken es uns hier. |
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© H. Föll (MaWi 2 Skript)