Lösung zur Übung 5.2-1

Berechne die Fermienergie für dotierte Halbleiter
 
Zunächst formen wir den Ausdruck 1 – f(EV, T) etwas um, da die 1 auf jeden Fall lästig ist. Wir bringen alles auf einen Nenner und erweitern dann geschickt
Es ergibt sich (nicht übersehen, dass exp(-a) · exp(+a) = 1):
1 – f(E, T)  =   1 –
1
1 + exp  (EEF) / (kT )
 = 
1 + exp  (EEF) / (kT )

1 + exp  (EEF) / (kT )

1
1 + exp  (EEF) / (kT )
               
   =    
exp  (EEF) / (kT )

1 + exp  (EEF) / (kT )
 
 = 
{exp  (EEF) / (kT )} · {exp –(E + EF) / (kT )}

{1 + exp  (EEF) / (kT )} · {exp –(E + EF) / (kT )}
           
   =   1
1 + exp  (E + EF) / (kT )
   
Damit lautet die Bestimmungsgleichung für EF
NLeff
1 + exp  (ELEF) / (kT )
= ND
1 + exp  (ED + EF) / (kT )
Für NLeff = ND = N wird's einfach. Wir erhalten
exp – ELEF
kT 
=
exp – ED + EF
kT
   
ELEF = ED + EF
   
EF =     ELED
2
   
Die Fermienergie liegt dann also genau zwischen der Leitungsbandkante und dem Donatorniveau.
Für NLeff ¹ ND = N ist es etwas haariger; aber machbar. Wir schenken es uns hier.
   


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© H. Föll (MaWi 2 Skript)