Silizium Oberfläche (abgebildet mit dem Rastertunnelmikroskop)

	Das Bild zeigt die Si-Oberfläche im Ultrahochvakuum, nach verhergehender Entfernung der dünnen, an Luft immer vorhandenen Oxidschicht. Ultrahochvakuum (UHV) ist nötig, damit die Probe nicht sofort wieder oxidiert. Einige ins Auge fallende Besonderheiten sind:
		Die Atome sind deutlich als rotumrandete (künstlich eingefärbte) Kreise sichtbar. Das Rastertunnelmikroskop (abgekürzt STM, nach der englischen Bezeichnung "scanning tunnel microscope") hat die höchste Auflösung aller Mikroskope und kann Atome auf den Oberflächen (elektrisch leitender) Körper ohne weiteres sichtbar machen.
		Die Oberfläche hat keine Ähnlichkeit mit einer {111} Ebene des Diamantgitters. Die Atome der Oberfläche (und die Lage darunter) haben sich rearrangiert um ihre freien Bindungen gegenseitig bestmöglichst abzusättigen. Die zweidimensionale Elementarzelle des Oberflächengitters ist ziemlich kompliziert mit einer Gitterkonstante die 7 mal größer ist als die Gitterkonstante des Si Volumengitters. Man spricht deshalb auch von der 7 x 7 Struktur der {111} Oberfläche.
		Der 7 x 7 Oberflächenkristall enthält seinerseits Defekte, insbesondere sind Leerstellen gut zu erkennen.