4.2.3 Merkpunkte zu Kapitel 4.2: Beziehungen zwischen Defekten

Zwischen allen Defektarten bestehen enge Beziehungen.
Stapelfehler schematisch
Defekte sind oft korreliert und treten gemeinsam auf.
Aus "kleinen" Defekten können "große" Defekte entstehen
Oxidationsinduziertes Stapelfehlersystem in Si
Atomare Fehlstellen lagern sich zu zweidimensionalen (Stapelfehler) oder dreidimensionalen Agglomeraten (Ausscheidungen, Voids) zusammen.  
Zweidimesionale Defekte sind von eindimensionalen Defekten (= Versetzungen) begrenzt.  
Ausscheidungen sind von Phasengrenzen umgeben.  
Phasen- und Korngrenzen enthalten spezielleVersetzungen.  
   
Entascheidend für die Bildung größerer Defekte ist die Keimbildung.
Energiebarriere bei Keimbildung
Bei der Bildung einer Ausscheidungen mit Radius r konkurrieren z.B. Energieabsenkung durch Verringerung der Punktfehlerübersättigung (µr3) mit der Energieerhöhung durch die notwendige Phasengrenze (µr2).  
Für kleine Ausscheidungen (= Keime) ist die Energiebilanz ungünstig; es existiert eine Energiebarriere.  
Durch Manipulation dieser Energiebarriere können Ausscheidunge vermieden oder bewußt gefördert werden.
   
Die Gesamtheit der Kristallgitterdefekte in ihrer spezifischen Anordnung heißt das Gefüge des Materials.
Perlit Gefüge
Etwas eingeschränkter und basierend auf der Historie, ist das Gefüge das, was man im Lichtmikroskop nach geeigneter Anätzung (= Sichtbarmachung) von Gefügebestandteilen sieht.  
Im Bild sieht man beispielsweise die langezogenen Fe3C Ausscheidungen in Stahl (Zementit Lamellen) sowie eine Korngrenze. Was man nicht sieht sind Versetzungen und Punktdefekte im bcc Eisen (= Ferrit).

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© H. Föll (MaWi 1 Skript)