Vergleich von anodischer Ätzung mit niedriger (a) und hoher (b) Stromdichte, chemischer Ätzung (c) und EBIC (d) an multikristallinem Silizium


gehe zu Defekte in Kristallen, 6.1.1 Ätzverfahren

gehe zu Defekte in Kristallen; Vergleich von anodischen Ätzungen II