Wirkungsweise von "EBIC"

EBIC - kurz für "Electron Beam Induced Current" ist ein Verfahren zur Sichtbarmachung von elektronischen Defekt in Halbleitern mit Hilfe des Rasterelektronenmikroskops (REM).
Dazu bringt man eine Halbleiterprobe mit einer dünnen (=für die Elektronen des Elektronenstrahls transparenten) Metallschicht mit Zuleitungen in das Vakuum des REM. Die Metallschicht muß so gewählt sein, daß sie mit dem Halbleiter einen Schottky-Kontant bildet. Mit der äußeren Beschaltung wird die Spannung so angelegt, daß der Schottky Kontakt sperrt, d.h. nur ein kleiner Leckstrom fließt.
Wir nun lokal mit dem Elektronenstrahl "beleuchtet", fließt ein "Photo"strom, der als Signal zur Ansteuerung des Bildschirms verwendet wird. Aus guten Bereichen der Probe kommt viel Strom, aus defektbehafteten wenig, weil die durch den Elektronenstrahl gebildeten Minoritätsladungsträger rekombinieren und nicht zum Signal beitragen.
Im obigen Bild sind deshalb die Defekte dunkel; man erkennt die elektrisch "aktiven" Korngrenzen und Versetzungen. Was man nicht sieht, sind diei auch vorhandenen "inaktiven" Defekte, die aus nicht immer klaren Gründen nicht als Rekombinationszentren wirken.

gehe zu Defekte in Kristallen, 6.1.1 Ätzverfahren